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公开(公告)号：CN112510487B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010951669.4
申请日：2020-09-11
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 高田干
Abstract: 本发明提供一种光学半导体器件及组装该光学半导体器件的方法。该光学半导体器件包括：台面，该台面被设置在具有(100)面取向并且是第一导电类型的半导体衬底的 方向上的表面上，并且包括第一导电类型的第一包层、有源层和第二导电类型的第二包层；半绝缘掩埋层，该半绝缘掩埋层掩埋台面的两侧、被设置在半导体衬底上、并且包括第一区域和第二区域，第二区域相比于第一区域距台面更远；绝缘膜，该绝缘膜被设置在掩埋层的第一区域和第二区域上；以及电极，该电极被设置在台面上和第一区域上的绝缘膜上；其中，第一区域的表面在等于或低于台面的表面的高度的高度处，并且在距台面更远的距离处降低。
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公开(公告)号：CN117895329A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311677245.3
申请日：2023-12-08
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种提高宽条型大功率半导体激光器输出功率以及光束质量的方法，芯片包括层叠结构，层叠结构包括自下到上依次设置的N面电极层、衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、P面电极层；脊波导上设置有台阶状结构，台阶状结构使得脊波导中心处欧姆接触层最薄，从中心向两侧欧姆接触层的厚度逐渐增大。台阶状结构结和渐变掺杂有效降低了热透镜效应、载流子侧向空间烧孔效应以及载流子边缘堆积效应，可以显著提高芯片的光束质量以及最大输出功率。
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公开(公告)号：CN113381297B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010158416.1
申请日：2020-03-09
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种集成光学复合基板，所述集成光学复合基板包括：垂直腔面发射激光器(1)以及覆盖于所述垂直腔面发射激光器顶面上的光调制层(2)，在所述垂直腔面发射激光器(1)的顶部开设贯穿顶面的出光孔(3)，在所述出光孔(3)内填充有光传输层(4)，其中，由所述垂直腔面发射激光器(1)出射的光在光调制层(2)中入射角的角度为目标预设角度，从而直接在光调制层内对入射光进行调制，进而免于增加额外光学器件，降低光学系统的复杂程度，提高光利用率，减小光学系统的体积。
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公开(公告)号：CN114008879A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080043299.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 渊田步
IPC: H01S5/227
Abstract: 半导体光元件，具备埋入有活性层的台面构造(7)，该半导体光元件由光斑尺寸转换部(B)和活性层(3)的宽度均等的直线部(A)构成，光斑尺寸转换部(B)位于比该直线部(A)靠光的出射侧的位置，并且活性层(3)处的光的限制比直线部(A)弱，且在光的出射端处的光的光斑尺寸大于直线部的光的光斑尺寸，在与活性层(3)的层面平行的同一平面内，直线部(A)的台面构造(7)的宽度的平均值是比光斑尺寸转换部(B)的出射端处的台面构造(7)的宽度的值小的值，在台面构造(7)的顶部以遍及直线部(A)以及光斑尺寸转换部(B)的全长向活性层(3)进行电流注入的方式形成有电极。
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公开(公告)号：CN113451887A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110296066.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 桥本顺一
Abstract: 一种量子级联激光器，具备：第一台面波导，设置在基板上，包含第一芯层；第二台面波导，设置在基板上，包含第二芯层；第一电极，与第一台面波导电连接；及第二电极，与第二台面波导电连接。第一台面波导及第二台面波导沿第一方向延伸，并在与第一方向交叉的第二方向上相互分离。第一电极与第二电极之间的距离大于第一台面波导与第二台面波导之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451886A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110295403.3
申请日：2021-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 桥本顺一
Abstract: 一种量子级联激光器，具备：包含第一芯层的第一台面波导；包含第二芯层的第二台面波导；与第一台面波导电连接的第一电极；与第二台面波导电连接的第二电极；及将第一台面波导及第二台面波导埋入的电流阻挡区域。第一台面波导及第二台面波导沿第一方向延伸，并在与第一方向交叉的第二方向上相互分离。电流阻挡区域具有配置在第一台面波导与第二台面波导之间的第一部分和设置在第一部分上的第二部分。第一电极及第二电极分别具有在第二方向上彼此相对的端部。第二部分以超出基准面的方式突出，所述基准面包含第一电极的端部的表面且在第一方向及第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN113381297A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010158416.1
申请日：2020-03-09
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种集成光学复合基板，所述集成光学复合基板包括：垂直腔面发射激光器(1)以及覆盖于所述垂直腔面发射激光器顶面上的光调制层(2)，在所述垂直腔面发射激光器(1)的顶部开设贯穿顶面的出光孔(3)，在所述出光孔(3)内填充有光传输层(4)，其中，由所述垂直腔面发射激光器(1)出射的光在光调制层(2)中入射角的角度为目标预设角度，从而直接在光调制层内对入射光进行调制，进而免于增加额外光学器件，降低光学系统的复杂程度，提高光利用率，减小光学系统的体积。
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公开(公告)号：CN112913095A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201880098782.3
申请日：2018-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：台面(200)，在第一导电型基板(10)的表面依次层叠有第一导电型包覆层(11)、活性层(20)、以及具有第二导电型的第二导电型第一包覆层(30)；埋入层(50)，以使台面(200)的顶部露出的方式将台面(200)的两侧埋入；以及第二导电型第二包覆层(31)，将埋入层(50)以及从埋入层(50)露出的台面(200)的顶部埋入，埋入层(50)包含掺杂有半绝缘性材料的层，以使第二导电型第一包覆层(30)的宽度随着朝向台面(200)的顶部而变窄的方式，第二导电型第一包覆层(30)与埋入层(50)的边界(33)倾斜。
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公开(公告)号：CN112542767A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910894514.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器芯片及其制备方法，所述激光器芯片包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次设有外延层和P面管芯结构，所述GaAs衬底远离外延层的一侧镀有N面电极，所述GaAs衬底与N面电极接触的端面上设置有粗糙区。本发明工艺设计合理，不仅有效提高了芯片的整体厚度，芯片的弯曲度和翘曲度明显小于常规抛光工艺处理后的薄芯片，避免了镀膜不均匀和磨料渗入管芯P/N面的情况；同时粗糙区能够提高衬底与N面电极的接触面积，降低了半导体与N面电极之间的接触电阻，有效降低激光器管芯的体电阻，从而减低激光器的阈值电流，提高了电光转换效率，提高了N面电极与GaAs衬底之间的粘附性，避免出现N面电极脱落的情况。
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公开(公告)号：CN107251346B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201480083807.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 阿尔佩斯激光有限公司
Abstract: 半导体量子级联激光器（QCL）、特别是在约3—50µm的波长处发射的中IR激光器常常被设计为深蚀刻掩埋式异质结构QCL。掩埋式异质结构配置是有利的，因为通常为InP的掩埋层的高导热性以及低损耗保证装置的高功率和高性能。然而，如果此类QCL是针对短波长设计的并在短波长下操作，则显现出严重的缺点：此类操作所必需的高电场部分地在绝缘掩埋层内部驱动操作电流。这减少了注入到活性区中的电流并产生热损耗，因此降低QCL的性能。本发明通过在掩埋层内提供被夹在普通InP或其它掩埋层（本征或Fe掺杂）之间的例如AlAs、InAlAs、InGaAs、InGaAsP或InGaSb的有效地设计的电流阻挡或量子势垒来解决此问题。这些量子势垒大大地且可控地减少所述负面影响，导致也在短波长下和/或在高电场中QCL有效地运行。
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