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公开(公告)号：CN117895329A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311677245.3
申请日：2023-12-08
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种提高宽条型大功率半导体激光器输出功率以及光束质量的方法，芯片包括层叠结构，层叠结构包括自下到上依次设置的N面电极层、衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、P面电极层；脊波导上设置有台阶状结构，台阶状结构使得脊波导中心处欧姆接触层最薄，从中心向两侧欧姆接触层的厚度逐渐增大。台阶状结构结和渐变掺杂有效降低了热透镜效应、载流子侧向空间烧孔效应以及载流子边缘堆积效应，可以显著提高芯片的光束质量以及最大输出功率。
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