公开(公告)号：CN112510487B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202010951669.4

申请日：2020-09-11

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 高田干

IPC: H01S5/227 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明提供一种光学半导体器件及组装该光学半导体器件的方法。该光学半导体器件包括：台面，该台面被设置在具有(100)面取向并且是第一导电类型的半导体衬底的 方向上的表面上，并且包括第一导电类型的第一包层、有源层和第二导电类型的第二包层；半绝缘掩埋层，该半绝缘掩埋层掩埋台面的两侧、被设置在半导体衬底上、并且包括第一区域和第二区域，第二区域相比于第一区域距台面更远；绝缘膜，该绝缘膜被设置在掩埋层的第一区域和第二区域上；以及电极，该电极被设置在台面上和第一区域上的绝缘膜上；其中，第一区域的表面在等于或低于台面的表面的高度的高度处，并且在距台面更远的距离处降低。

公开(公告)号：CN112510487A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010951669.4

申请日：2020-09-11

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 高田干

IPC: H01S5/227 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明提供一种光学半导体器件及组装该光学半导体器件的方法。该光学半导体器件包括：台面，该台面被设置在具有(100)面取向并且是第一导电类型的半导体衬底的 方向上的表面上，并且包括第一导电类型的第一包层、有源层和第二导电类型的第二包层；半绝缘掩埋层，该半绝缘掩埋层掩埋台面的两侧、被设置在半导体衬底上、并且包括第一区域和第二区域，第二区域相比于第一区域距台面更远；绝缘膜，该绝缘膜被设置在掩埋层的第一区域和第二区域上；以及电极，该电极被设置在台面上和第一区域上的绝缘膜上；其中，第一区域的表面在等于或低于台面的表面的高度的高度处，并且在距台面更远的距离处降低。