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    半导体光集成元件及其制造方法
    1.
    发明授权
    半导体光集成元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111819743B

    公开(公告)日：2023-09-26

    申请号：CN201980017585.9

    申请日：2019-02-28

    申请人： 日本电信电话株式会社

    发明人： 进藤隆彦 ,  藤原直树 ,  佐野公一 ,  石井启之 ,  松崎秀昭 ,  山田贵 ,  堀越建吾

    IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

    摘要： 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。

    半导体光集成元件及其制造方法
    4.
    发明公开
    半导体光集成元件及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN111819743A

    公开(公告)日：2020-10-23

    申请号：CN201980017585.9

    申请日：2019-02-28

    申请人： 日本电信电话株式会社

    发明人： 进藤隆彦 ,  藤原直树 ,  佐野公一 ,  石井启之 ,  松崎秀昭 ,  山田贵 ,  堀越建吾

    IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

    摘要： 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。

    半导体激光器装置
    6.
    发明公开
    半导体激光器装置 有权

    公开(公告)号：CN108141006A

    公开(公告)日：2018-06-08

    申请号：CN201680055736.6

    申请日：2016-09-29

    申请人： 日本电信电话株式会社 ,  国立大学法人东北大学

    发明人： 石井启之 ,  藤原直树 ,  渡边启 ,  井藤干隆 ,  葛西惠介 ,  中泽正隆

    IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/50 ,  G01N21/01 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026

    摘要： 作为将半导体激光器的光谱线宽缩窄至10kHz左右的构成，有外部谐振器型激光器，但存在需要许多零件且需要高精度地组装它们，控制电路变得复杂的问题。还已知有基于DFB激光器的波长可调激光器的构成，但在长的谐振器中由于制造波动而难以形成均匀的谐振器，即使在基于DFB激光器的波长可调激光器中，光谱的窄线宽化也存在界限。在本发明的半导体激光器装置中，以单模振荡的半导体激光器和使用石英玻璃的低损耗光波电路配置于共同的基板上。光波电路构成为半导体激光器的光输出的一部分传播某固定的光路长度后，由反射器反射，反馈至半导体激光器。也可以构成为将半导体激光器的输出光与光波电路的输入波导直接光学耦合。能提供光谱线宽窄、波长控制稳定的小型的激光装置。

    半导体激光器装置
    7.
    发明授权
    半导体激光器装置 有权

    公开(公告)号：CN108141006B

    公开(公告)日：2020-09-15

    申请号：CN201680055736.6

    申请日：2016-09-29

    申请人： 日本电信电话株式会社 ,  国立大学法人东北大学

    发明人： 石井启之 ,  藤原直树 ,  渡边启 ,  井藤干隆 ,  葛西惠介 ,  中泽正隆

    IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/50 ,  G01N21/01 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026

    摘要： 作为将半导体激光器的光谱线宽缩窄至10kHz左右的构成，有外部谐振器型激光器，但存在需要许多零件且需要高精度地组装它们，控制电路变得复杂的问题。还已知有基于DFB激光器的波长可调激光器的构成，但在长的谐振器中由于制造波动而难以形成均匀的谐振器，即使在基于DFB激光器的波长可调激光器中，光谱的窄线宽化也存在界限。在本发明的半导体激光器装置中，以单模振荡的半导体激光器和使用石英玻璃的低损耗光波电路配置于共同的基板上。光波电路构成为半导体激光器的光输出的一部分传播某固定的光路长度后，由反射器反射，反馈至半导体激光器。也可以构成为将半导体激光器的输出光与光波电路的输入波导直接光学耦合。能提供光谱线宽窄、波长控制稳定的小型的激光装置。