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公开(公告)号：CN113169516B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980080612.7
申请日：2019-12-04
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 一种光放大器，具有正面、背面和光学空腔，所述空腔具有限定在所述正面与所述背面之间的长度，所述空腔包括：与所述正面相邻的第一区段，所述第一区段具有在损失、零偏置和增益之间可控的偏置；以及与所述背面相邻的第二区段，其中，所述第二区段具有在零偏置与增益之间可控的偏置；其中，所述第一区段的长度短于所述第二区段的长度。
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公开(公告)号：CN117859245A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202180101139.3
申请日：2021-09-17
申请人： 华为技术有限公司
发明人： 陈欣
摘要： 一种复合发射机结构(400)，包括：衬底；以及有源波导结构，包括：位于衬底的第一区域的激光发射器(301)；位于衬底的第二区域的光调制器(302)；以及位于激光发射器(301)和光调制器(302)之间的监控光电检测器(419)，其中监控光电检测器(419)用于测量激光发射器(301)的强度。这样，监控光电检测器(419)可以集成在复合发射机结构(400)中，以尽可能减少对复合发射机结构(400)的尺寸和性能的影响。
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公开(公告)号：CN115224584A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110426648.5
申请日：2021-04-20
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/22 , H01S5/343
摘要： 本申请实施例公开了一种电吸收调制激光器。电吸收调制激光器包括激光器区、电隔离区和电吸收调制器区。电隔离区设置在激光器区和电吸收调制器区之间。激光器区用于产生激光。激光被耦合进与激光器区相连电吸收调制器区。电吸收调制器区用于调制激光，得到信号光。电吸收调制器区的第一有源层下方包括波导层。在本申请中，电吸收调制器区可以将部分激光耦合进波导层，从而提高电吸收调制器的饱和吸收功率，提高电吸收调制激光器的输出功率。
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公开(公告)号：CN113394655A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110663288.0
申请日：2017-02-13
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/12 , H01S5/026 , H01S5/0625 , H01S5/343
摘要： 半导体激光元件是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件，该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成，所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具备取样光栅结构，该取样光栅结构具有各反射峰值的反射相位一致、且设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。
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公开(公告)号：CN113169516A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080612.7
申请日：2019-12-04
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 一种光放大器，具有正面、背面和光学空腔，所述空腔具有限定在所述正面与所述背面之间的长度，所述空腔包括：与所述正面相邻的第一区段，所述第一区段具有在损失、零偏置和增益之间可控的偏置；以及与所述背面相邻的第二区段，其中，所述第二区段具有在零偏置与增益之间可控的偏置；其中，所述第一区段的长度短于所述第二区段的长度。
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公开(公告)号：CN112350147A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011231438.2
申请日：2020-11-06
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/0625 , H01S5/042 , H01S5/0225 , H01S5/00 , H01S5/30
摘要： 本发明涉及中红外激光器领域，尤其涉及一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器，包括多个泵浦装置，相邻两个泵浦装置按照预设角度放置，泵浦装置包括半导体激光器和耦合透镜组，每个耦合透镜组的一侧均放置有复合晶体，耦合透镜组和复合晶体之间均放置有二色镜，多个二色镜构成环形谐振腔；声光调Q开关位于复合晶体和二色镜之间，并沿环形谐振腔内振荡光束的传播方向放置；全反镜位于二色镜反射的光路上。本发明提出的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器，解决现有的中红外激光器难以获得高重复频率、窄脉宽、高功率以及高光束质量脉冲激光的问题。
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公开(公告)号：CN112189287A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980034628.4
申请日：2019-05-06
申请人： 谷歌有限责任公司
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/042 , H04B10/50 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/026 , H01S5/06 , H01S5/062
摘要： 方法(900)包括将增益电流(IGAIN)给设置在可调谐激光器(310)的共享衬底上的增益段二极管(D0)的阳极，将调制信号递送到设置在可调谐激光器的共享衬底上的电吸取段二极管(D2)的阳极，以及接收指示突发接通状态或突发断开状态的突发模式信号(330)。当突发模式信号指示突发断开状态时，该方法包括从在增益段二极管的阳极处的增益电流吸收掉吸收电流(ISINK)。当突发模式信号从突发断开状态转变为指示突发接通状态时，该方法包括停止从增益电流吸收掉吸收电流并且将过冲电流(IOVER)递送到增益段二极管的阳极。
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公开(公告)号：CN109565149B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201680085735.6
申请日：2016-12-08
申请人： 华为技术有限公司
发明人： 伊恩·里阿尔曼
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/14 , H01S5/022 , H01S5/06
摘要： 一种激光器包含增益区段和多个光栅。每个光栅耦合到所述增益区段，以形成能够产生特定波长光的对应光谐振腔。所述激光器还包含开关，所述开关用于选择所述多个光栅的其中一个，从而由所述增益区段和所述选择的光栅形成的光谐振腔产生所述激光器的光输出。这提供能在不同波长之间调谐并提供简单程度的调谐控制的激光器。
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公开(公告)号：CN107454990B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201680012687.8
申请日：2016-01-06
申请人： 祥茂光电科技股份有限公司
发明人： 郑军 , 默里·史蒂芬 , J , 克劳斯·亚历山大·安索姆 , 张焕林 , 迪恩·麦因托希·朵希
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/06 , H01S5/0625
摘要： 一种双区段半导体激光器包括增益区段和独立调制的光栅区段以减少啁啾。独立调制的光栅区段包括用于反射光线的衍射光栅，以及连同增益区段形成激光腔，用于依照衍射光栅所反射的波长或波长范围激射。半导体激光器的增益区段包括增益电极，利用至少调制射频信号用于驱动增益区段，以及光栅区段包括光栅电极，独立于增益区段的调制利用直流偏置电流驱动光栅区段。因此，半导体激光器利用调制射频信号直接被调制，此调制未明显影响衍射光栅中的折射率，从而减少啁啾。
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公开(公告)号：CN109565153A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780050435.9
申请日：2017-07-12
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0625
CPC分类号： H01S5/0615 , H01S5/0206 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/0428 , H01S5/0625 , H01S5/22 , H01S5/2202 , H01S5/3086 , H01S5/32316 , H01S2304/04
摘要： 在根据本公开的实施方式的半导体激光器中，脊部具有以下结构，其中，多个增益区域和多个Q开关区域各自交替地布置，分离区域中的每个分离区域在脊部的延伸方向上介于其间。分离区域各自具有分离凹槽，分离凹槽通过空间将彼此相邻的增益区域和Q开关区域彼此分离。分离凹槽的底表面所在的位置在第二半导体层中高于与脊部的两侧中的每一侧的脚部对应的部分。
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