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公开(公告)号：CN105186286A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510508859.8
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中。
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公开(公告)号：CN104022441A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410065721.0
申请日：2014-02-26
Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01S5/0201 , H01S5/0282 , H01S5/1082 , H01S5/2202 , H01S5/343 , H01S2301/176
Abstract: 具有带有单层光学涂层的窗的经蚀刻小面激光器。一种边缘发射经蚀刻小面光学半导体结构具有：衬底；作用多量子阱MQW区域，其形成于所述衬底上；及脊形波导，其形成于所述MQW区域上方，沿实质上纵向方向在波导第一经蚀刻末端小面与波导第二经蚀刻末端小面之间延伸。用于形成其中安置所述经蚀刻末端小面的窗的掩模层由直接安置于所述脊形波导上的单一电介质材料组成。由制成第二掩模的相同电介质材料的不多于一个层组成的光学涂层直接安置于所述第二掩模上且直接安置于所述窗上以涂覆所述经蚀刻末端小面。
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公开(公告)号：CN100405847C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480000725.5
申请日：2004-05-20
Applicant: 株式会社摩迩迪
Inventor： 李昌浩
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/2202 , H01S5/34366 , H04N19/109 , H04N19/11 , H04N19/12 , H04N19/13 , H04N19/136 , H04N19/137 , H04N19/176 , H04N19/186 , H04N19/46 , H04N19/467 , H04N19/60
Abstract: 本发明涉及对移动通信终端的运动图像进行编码的系统和方法。本发明包括：帧内编码过程，通过在一个4*4像素单元内计算均值来编码所述运动图像压缩目标信号的U和V分量，而通过在一个8*8像素块单元内离散余弦变换、量化和Golomb-Rice编码Y分量来对运动图像压缩目标的Y分量进行编码；以及帧间编码过程，用于估算移动是否发生在一个8*8像素块单元中，把该块分类成移动块和非移动块，并分别存储移动块和非移动块，编码并输出有关移动否发生的信息作为纹理映象信息，并同时对移动块进行帧内模式和帧间模式的估算。
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公开(公告)号：CN1717938A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480000725.5
申请日：2004-05-20
Applicant: 株式会社摩迩迪
Inventor： 李昌浩
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/2202 , H01S5/34366 , H04N19/109 , H04N19/11 , H04N19/12 , H04N19/13 , H04N19/136 , H04N19/137 , H04N19/176 , H04N19/186 , H04N19/46 , H04N19/467 , H04N19/60
Abstract: 本发明涉及对移动通信终端的运动图像进行编码的系统和方法。本发明包括：帧内编码过程，通过在一个4*4像素单元内计算均值来编码所述运动图像压缩目标信号的U和V分量，而通过在一个8*8像素块单元内离散余弦变换、量化和Golomb－Rice编码Y分量来对运动图像压缩目标的Y分量进行编码；以及帧间编码过程，用于估算移动是否发生在一个8*8像素块单元中，把该块分类成移动块和非移动块，并分别存储移动块和非移动块，编码并输出有关移动否发生的信息作为纹理映象信息，并同时对移动块进行帧内模式和帧间模式的估算。
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公开(公告)号：CN1156909A
公开(公告)日：1997-08-13
申请号：CN96120525.3
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/042 , H01S3/025 , H01S3/19
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078464A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057080.7
申请日：2015-09-21
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 , 斯文·格哈德
IPC: H01S5/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01S5/2081 , H01L21/76232 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/2202 , H01L21/3065
Abstract: 提出一种用于对层序列进行结构化的方法以及一种半导体激光器设备。在该方法中，通过两个等离子刻蚀方法在层序列(10)中产生至少一个沟槽(4)。半导体激光器设备包括：层序列(10)，所述层序列借助半导体材料形成；和层序列(10)中的两个沟槽(4)，所述沟槽侧向地对脊型波导(30)限界，其中每个沟槽(4)在其背离脊型波导(30)的一侧上由层序列(10)的区域(A)限界。
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公开(公告)号：CN103119808B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180046824.7
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: 设置一种边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层（3）嵌入到π形截面波导（2b）中，使得π形截面波导（2b）的表面（21）和平面化层（3）的表面（22）构成平坦的主面（4）。此外设置一种用于制造这种半导体激光二极管（1）的方法。
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公开(公告)号：CN100350641C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410003720.X
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/343 , H01L31/0264
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1264262C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200410003721.4
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN109565153A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780050435.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/22 , H01S5/0625
CPC classification number: H01S5/0615 , H01S5/0206 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/0428 , H01S5/0625 , H01S5/22 , H01S5/2202 , H01S5/3086 , H01S5/32316 , H01S2304/04
Abstract: 在根据本公开的实施方式的半导体激光器中，脊部具有以下结构，其中，多个增益区域和多个Q开关区域各自交替地布置，分离区域中的每个分离区域在脊部的延伸方向上介于其间。分离区域各自具有分离凹槽，分离凹槽通过空间将彼此相邻的增益区域和Q开关区域彼此分离。分离凹槽的底表面所在的位置在第二半导体层中高于与脊部的两侧中的每一侧的脚部对应的部分。
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