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Invention Publication
CN105186286A 边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法 有权

边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法
Abstract:
本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中。
Abstract(English):

An edge-emitting semiconductor laser diode includes an epitactic semiconductor layer stack and a planarization layer. The semiconductor layer stack includes a main body and a ridge waveguide. The main body includes an active layer for generating electromagnetic radiation. The planarization layer embeds the ridge waveguide such that a surface of the ridge waveguide and a surface of the planarization layer form a flat main surface. A method for producing such a semiconductor laser diode is also disclo

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