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公开(公告)号：CN105006743A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510509173.0
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中所述平面化层（3）具有至少两个相叠布置的区域（3a、3b），并且所述平面化层（3）的与所述半导体层堆叠邻接的区域（3b）包含至少一种掺杂物质。
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公开(公告)号：CN107251345B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201680011561.9
申请日：2016-02-18
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 一种用于制造电子组件的方法，包括用于以下的步骤：提供具有第一区（110）和邻近第一区的第二区（120）的表面；在表面的第一区之上布置牺牲层（200）；在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层（300）；在表面的第一区之上的钝化层中制作开口（410）；以及移除牺牲层（200）。为此目的，还可以使用光致抗蚀剂层（400）。在掩蔽和蚀刻牺牲层之后，可以通过因而形成的预定断裂点机械移除剩余的光致抗蚀剂层（400）和钝化层（300）的悬垂部分。
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公开(公告)号：CN103119808B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180046824.7
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: 设置一种边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层（3）嵌入到π形截面波导（2b）中，使得π形截面波导（2b）的表面（21）和平面化层（3）的表面（22）构成平坦的主面（4）。此外设置一种用于制造这种半导体激光二极管（1）的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107251345A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680011561.9
申请日：2016-02-18
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 一种用于制造电子组件的方法，包括用于以下的步骤：提供具有第一区（110）和邻近第一区的第二区（120）的表面；在表面的第一区之上布置牺牲层（200）；在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层（300）；在表面的第一区之上的钝化层中制作开口（410）；以及移除牺牲层（200）。为此目的，还可以使用光致抗蚀剂层（400）。在掩蔽和蚀刻牺牲层之后，可以通过因而形成的预定断裂点机械移除剩余的光致抗蚀剂层（400）和钝化层（300）的悬垂部分。
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公开(公告)号：CN105186286A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510508859.8
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中。
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公开(公告)号：CN105006743B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510509173.0
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/223
Abstract: 本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中所述平面化层（3）具有至少两个相叠布置的区域（3a、3b），并且所述平面化层（3）的与所述半导体层堆叠邻接的区域（3b）包含至少一种掺杂物质。
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公开(公告)号：CN105186286B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510508859.8
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法。所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中在所述π形截面波导（2b）旁边在两侧横向相间隔地布置有所述半导体层堆叠的半导体层（2d），半导体层（2d）通过沟槽（7）定界，并且平面化层布置在所述沟槽中。
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公开(公告)号：CN103119808A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046824.7
申请日：2011-09-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: 设置一种边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层（3）嵌入到π形截面波导（2b）中，使得π形截面波导（2b）的表面（21）和平面化层（3）的表面（22）构成平坦的主面（4）。此外设置一种用于制造这种半导体激光二极管（1）的方法。
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