公开(公告)号：CN109565153B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201780050435.9

申请日：2017-07-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大野智辉 ,  大畑豊治 ,  小山享宏 ,  滝口干夫 ,  田中雅之

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/0625

Abstract: 在根据本公开的实施方式的半导体激光器中，脊部具有以下结构，其中，多个增益区域和多个Q开关区域各自交替地布置，分离区域中的每个分离区域在脊部的延伸方向上介于其间。分离区域各自具有分离凹槽，分离凹槽通过空间将彼此相邻的增益区域和Q开关区域彼此分离。分离凹槽的底表面所在的位置在第二半导体层中高于与脊部的两侧中的每一侧的脚部对应的部分。

公开(公告)号：CN109565153A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050435.9

申请日：2017-07-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大野智辉 ,  大畑豊治 ,  小山享宏 ,  滝口干夫 ,  田中雅之

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/0625

CPC classification number: H01S5/0615 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0428 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/32316 ,  H01S2304/04

Abstract: 在根据本公开的实施方式的半导体激光器中，脊部具有以下结构，其中，多个增益区域和多个Q开关区域各自交替地布置，分离区域中的每个分离区域在脊部的延伸方向上介于其间。分离区域各自具有分离凹槽，分离凹槽通过空间将彼此相邻的增益区域和Q开关区域彼此分离。分离凹槽的底表面所在的位置在第二半导体层中高于与脊部的两侧中的每一侧的脚部对应的部分。