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公开(公告)号：CN116865097A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310680100.2
申请日：2018-08-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 斯文·格哈德 , 克里斯托夫·艾希勒 , 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
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公开(公告)号：CN110140264B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201780081857.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。
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公开(公告)号：CN110770985A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880040771.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
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公开(公告)号：CN110474230A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910393811.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 哈拉尔德·柯尼希 , 延斯·埃贝克 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 斯文·格哈德 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域从与耦合输出面相对置的后侧面沿着纵向方向延伸至耦合输出面，纵向方向横向于或垂直于堆叠方向伸展。耦合输出面平面平行于后侧面设置。半导体本体的耦合输出面和后侧面借助于蚀刻工艺产生。此外提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110140264A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780081857.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078464B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580057080.7
申请日：2015-09-21
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 , 斯文·格哈德
IPC: H01S5/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01S5/2081 , H01L21/76232 , H01S5/0224 , H01S5/22 , H01S5/2202
Abstract: 提出一种用于对层序列进行结构化的方法以及一种半导体激光器设备。在该方法中，通过两个等离子刻蚀方法在层序列(10)中产生至少一个沟槽(4)。半导体激光器设备包括：层序列(10)，所述层序列借助半导体材料形成；和层序列(10)中的两个沟槽(4)，所述沟槽侧向地对脊型波导(30)限界，其中每个沟槽(4)在其背离脊型波导(30)的一侧上由层序列(10)的区域(A)限界。
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公开(公告)号：CN109309340A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810844261.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 斯文·格哈德
Abstract: 提出一种用于制造多个激光二极管(1)的方法，具有如下方法步骤：在复合件(20)中提供多个激光棒(2)，其中激光棒(2)分别包括多个彼此并排设置的激光二极管元件(3)，并且激光二极管元件(3)具有共同的衬底(4)和各一个设置在衬底(4)上的半导体层序列(5)，并且分别在两个相邻的激光棒之间伸展的纵向分离线(y-y’)处分割复合件(20)，致使构成要制造的激光二极管(1)的激光器棱面(1C)；在至少一个纵向分离线(y-y’)处结构化复合件(20)，其中在纵向分离线(y-y’)处将应变的补偿层(8)施加到半导体层序列(5)上，和/或至少部分地移除半导体层序列。此外提出一种激光二极管(1)，所述激光二极管能借助该方法制造。
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公开(公告)号：CN111431030B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202010165677.6
申请日：2016-09-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 斯文·格哈德 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 克里斯托夫·艾克勒
Abstract: 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
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公开(公告)号：CN110770985B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201880040771.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。
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公开(公告)号：CN113574749A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080020843.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/042 , H01S5/026 , H01S5/40 , H01S5/022 , H01S5/323 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/32 , H01S5/024
Abstract: 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22)，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。
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