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公开(公告)号：CN110474230A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910393811.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 哈拉尔德·柯尼希 , 延斯·埃贝克 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 斯文·格哈德 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域从与耦合输出面相对置的后侧面沿着纵向方向延伸至耦合输出面，纵向方向横向于或垂直于堆叠方向伸展。耦合输出面平面平行于后侧面设置。半导体本体的耦合输出面和后侧面借助于蚀刻工艺产生。此外提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111431030B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202010165677.6
申请日：2016-09-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 斯文·格哈德 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 克里斯托夫·艾克勒
Abstract: 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
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公开(公告)号：CN109314367B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201780037676.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 斯文·格哈德
Abstract: 描述一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：制造多个并排设置的发射器(1，2)；检查发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且至少一个光学和/或电学特性在预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组；以及电接触第一发射器(1)，其中第二发射器(2)未被电接触，使得所述第二发射器在激光二极管棒(10)运行时不被供给电流。此外，提出一种可利用该方法制造的激光二极管棒(10)。
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公开(公告)号：CN108352678A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680047847.2
申请日：2016-09-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒
Abstract: 在一个实施形式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列包括n型导电的n型区域(21)，p型导电的p型区域(23)和位于之间的有源区(22)，所述有源区用于产生激光辐射。为了电流注入，能导电的p型接触层(3)直接位于p型区域(23)上。直接在p型接触层(3)上安置导电的并且金属的p型接触结构(4)。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在所述棱面(25)中的至少一个上的至少一个电流保护区域(5)中，电流注入p型区域(23)中受抑制。p型接触结构(4)与所属的棱面(25)平接，使得p型接触结构(4)并不突出于所属的棱面(25)或反之亦然，其中p型接触层(3)从电流保护区域(5)中的至少一个中去除并且在该电流保护区域(5)中p型接触结构(4)整面地与所述p型区域(23)直接接触。
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公开(公告)号：CN103326232B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310088321.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 , 森克·陶茨 , 乌韦·施特劳斯 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体（1），其具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的装配件（11），装配件沿着延伸方向（110）远离壳体部件（10）延伸；以及在装配件（11）上的激光二极管芯片（2），激光二极管芯片在衬底（20）上具有带用于辐射光的有源层（23）的半导体层（21、22、23、24），其中壳体部件（10）和装配件（11）具有铜制基体，并且至少壳体部件（10）被钢包封，在激光二极管芯片（2）和装配件（11）之间设有第一焊料层（3），第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片（2）具有辐射耦合输出面（27），在辐射耦合输出面（27）上施加有结晶保护层（6）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110474230B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910393811.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 哈拉尔德·柯尼希 , 延斯·埃贝克 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 斯文·格哈德 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域从与耦合输出面相对置的后侧面沿着纵向方向延伸至耦合输出面，纵向方向横向于或垂直于堆叠方向伸展。耦合输出面平面平行于后侧面设置。半导体本体的耦合输出面和后侧面借助于蚀刻工艺产生。此外提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111431030A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010165677.6
申请日：2016-09-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 斯文·格哈德 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 克里斯托夫·艾克勒
Abstract: 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
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公开(公告)号：CN105406351A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510958578.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层(21，22，23，24，26)，该半导体层具有用于放射光的有源层(23)，其中壳体部件(10)和安装部件(11)具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件(10)是钢包封的，并且在激光二极管芯片(2)与安装部件(11)之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层(3)。
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公开(公告)号：CN105207052A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510583595.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 , 森克·陶茨 , 乌韦·施特劳斯 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体(1)，其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11)，装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸；以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，激光二极管芯片在衬底(20)上具有带用于辐射光的有源层(23)的半导体层(21、22、23、24)，其中在激光二极管芯片(2)和装配件(11)之间设有第一焊料层(3)，第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在辐射耦合输出面(27)上施加有结晶保护层(6)。
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公开(公告)号：CN104247172A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380019818.1
申请日：2013-03-11
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/022 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02461 , H01S5/02469 , H01S5/0262 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 提出一种激光二极管设备，所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在壳体(1)中在安装部件(11)上的基于氮化物-化合物导体材料的激光二极管芯片(2)，其中激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在安装部件(11)上并且焊料层(3)具有大于或等于3μm的厚度。
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