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公开(公告)号：CN103918142A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280053838.6
申请日：2012-09-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/34333 , G02B1/11 , H01L33/58 , H01S5/0206 , H01S5/0264 , H01S5/0281 , H01S5/0286 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/16 , H01S2301/18
Abstract: 一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，其具有下述步骤：在生长衬底(3)上外延地生长具有有源层的半导体层序列(2)；在半导体层序列(2)和生长衬底(3)上成形正面小平面(4)；借助用于在制成的半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行对阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在生长衬底(3)上和/或附近。
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公开(公告)号：CN103326232B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310088321.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 , 森克·陶茨 , 乌韦·施特劳斯 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体（1），其具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的装配件（11），装配件沿着延伸方向（110）远离壳体部件（10）延伸；以及在装配件（11）上的激光二极管芯片（2），激光二极管芯片在衬底（20）上具有带用于辐射光的有源层（23）的半导体层（21、22、23、24），其中壳体部件（10）和装配件（11）具有铜制基体，并且至少壳体部件（10）被钢包封，在激光二极管芯片（2）和装配件（11）之间设有第一焊料层（3），第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片（2）具有辐射耦合输出面（27），在辐射耦合输出面（27）上施加有结晶保护层（6）。
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公开(公告)号：CN103326233A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310088473.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。
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公开(公告)号：CN102668140A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080057782.2
申请日：2010-11-30
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/44 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/186 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01S5/02 , H01S5/028 , H01S5/20 , H01S2301/176 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 提出一种光电子器件，其具有：带有有源区（3）的至少一个无机光电子有源半导体器件（10），所述有源区适于在运行时辐射光或者接收光；和在至少一个表面区域（7）上的借助于原子层沉积所施加的灌封材料（6），所述灌封材料气密密封地覆盖所述表面区域（7）。此外，提出一种用于制造光电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105406351B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510958578.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层(21，22，23，24，26)，该半导体层具有用于放射光的有源层(23)，其中壳体部件(10)和安装部件(11)具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件(10)是钢包封的，并且在激光二极管芯片(2)与安装部件(11)之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层(3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103326233B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310088473.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。
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公开(公告)号：CN103326232A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310088321.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 , 森克·陶茨 , 乌韦·施特劳斯 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体（1），其具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的装配件（11），装配件沿着延伸方向（110）远离壳体部件（10）延伸；以及在装配件（11）上的激光二极管芯片（2），激光二极管芯片在衬底（20）上具有带用于辐射光的有源层（23）的半导体层（21、22、23、24），其中壳体部件（10）和装配件（11）具有铜制基体，并且至少壳体部件（10）被钢包封，在激光二极管芯片（2）和装配件（11）之间设有第一焊料层（3），第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片（2）具有辐射耦合输出面（27），在辐射耦合输出面（27）上施加有结晶保护层（6）。
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公开(公告)号：CN102668140B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201080057782.2
申请日：2010-11-30
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/44 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/186 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01S5/02 , H01S5/028 , H01S5/20 , H01S2301/176 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 提出一种光电子器件，其具有：带有有源区（3）的至少一个无机光电子有源半导体器件（10），所述有源区适于在运行时辐射光或者接收光；和在至少一个表面区域（7）上的借助于原子层沉积所施加的灌封材料（6），所述灌封材料气密密封地覆盖所述表面区域（7）。此外，提出一种用于制造光电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105406351A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510958578.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层(21，22，23，24，26)，该半导体层具有用于放射光的有源层(23)，其中壳体部件(10)和安装部件(11)具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件(10)是钢包封的，并且在激光二极管芯片(2)与安装部件(11)之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层(3)。
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公开(公告)号：CN105207052A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510583595.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 , 森克·陶茨 , 乌韦·施特劳斯 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体(1)，其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11)，装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸；以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，激光二极管芯片在衬底(20)上具有带用于辐射光的有源层(23)的半导体层(21、22、23、24)，其中在激光二极管芯片(2)和装配件(11)之间设有第一焊料层(3)，第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在辐射耦合输出面(27)上施加有结晶保护层(6)。
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