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    非对称模式扩展小发散角半导体激光器
    1.
    发明公开
    非对称模式扩展小发散角半导体激光器 无效

    公开(公告)号：CN108899761A

    公开(公告)日：2018-11-27

    申请号：CN201810763094.6

    申请日：2018-07-12

    申请人： 中国科学院半导体研究所

    发明人： 熊迪 ,  谭满清 ,  郭文涛 ,  曹营春 ,  赵亚利

    IPC分类号： H01S5/20

    CPC分类号： H01S5/2018

    摘要： 一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底之上；模式扩展层，形成于缓冲层之上；空间层，形成于模式扩展层之上；N型限制层，形成于空间层之上；下波导层，形成于N型限制层上；有源区，形成于下波导层上；上波导层，形成于有源区上；P型限制层，形成于上波导层上，与所述N型限制层的制备材料的掺杂浓度和厚度不同；第一上盖层，形成于P型限制层上；第二上盖层，形成于第一上盖层之上；第三上盖层，形成于第二上盖层上；以及欧姆接触层，形成于第三上盖层之上，通过上述非对称模式扩展小发散角半导体激光器以缓解现有技术中激光器输出光斑质量差，耦合效率低，损耗大，整形难等技术问题。

    一种半导体激光器及其制备方法
    2.
    发明公开
    一种半导体激光器及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN105529614A

    公开(公告)日：2016-04-27

    申请号：CN201610090105.X

    申请日：2016-02-18

    申请人： 山东华光光电子股份有限公司

    发明人： 张新 ,  朱振 ,  徐现刚

    IPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/24

    CPC分类号： H01S5/2018 ,  H01S5/24

    摘要： 本发明涉及一种半导体激光器及其制备方法，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层、接触层，所述接触层上设有下凹的图形。原有接触层上表面平滑，本发明接触层上设有下凹的图形，接触层上表面面积大于原有接触层的上表面平面面积，增加了接触层的散热面积，使得接触电阻较小并且电压稳定，提高了可靠性。

    波导、包括波导的装置和波导的制造方法
    6.
    发明授权
    波导、包括波导的装置和波导的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102790356B

    公开(公告)日：2015-09-09

    申请号：CN201210148481.1

    申请日：2012-05-14

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 小山泰史

    IPC分类号： H01S5/20

    CPC分类号： H01S1/02 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/3401 ,  H01S2302/02 ,  Y10T29/49016

    摘要： 本公开涉及波导、包括波导的装置和波导的制造方法。提供一种能够抑制由于制造过程等在初始阶段或操作中在半导体中导致的应变和缺陷，以实现诸如振荡特性的特性的改善和稳定化的波导以及该波导的制造方法。波导包括：由相对于波导模式的电磁波介电常数的实部为负的负介电常数介质构成的第一导体层和第二导体层；和与第一导体层和第二导体层接触并被设置在其间并包含半导体部分的芯层。至少第一导体层具有沿面内方向延伸的特定的凹凸结构。