公开(公告)号：CN109687284A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910015882.1

申请日：2019-01-08

Applicant: 武汉电信器件有限公司

Inventor： 万枫 ,  熊永华 ,  曾笔鉴 ,  余洁 ,  余斯佳 ,  陈如山

IPC: H01S5/12

CPC classification number: H01S5/1231

Abstract: 本发明公开了一种激光器芯片以及相应的制作方法，该激光器芯片包括激光器区域，激光器区域包括光栅层以及有源层；有源层的出光面与光栅层的出光面之间相隔第一距离，有源层的背光面与光栅层的背光面之间相隔第二距离；其中，第一距离与第二距离之间相差预设的距离差。本发明合理设置激光器区域的光栅层的长度以及光栅层的位置，优化激光器芯片的结构，以减小输出端的反射光的大小以及相位位移大小，从而抑制激光器的功率突变，降低信号传输的误码率。

公开(公告)号：CN108011295A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711043860.3

申请日：2017-10-31

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 小河直毅

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34313 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34366 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3438

Abstract: 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。

公开(公告)号：CN107275925A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710638841.9

申请日：2017-07-31

Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司

Inventor： 方瑞禹 ,  徐晓颖

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/12 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明实施例提供了一种激光芯片，包括基板，设于基板上的第一有源区和第二有源区；设于第一有源区上的第一光栅，第一有源区发出的光在第一光栅处发生布拉格反射；设于第二有源区上的第二光栅，第二有源区发出的光在第二光栅处发生布拉格反射；第一光栅与第二光栅不平行设置，解理后具有不同的端面相位，使得第一发光单元与第二发光单元具有不同的单模抑制比SMSR以及良率，激光芯片可以筛选性能更优越的发光单元。

公开(公告)号：CN102347591A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110216405.5

申请日：2011-07-29

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 野田进 ,  坂口拓生 ,  长濑和也 ,  国师渡 ,  宫井英次 ,  三浦义胜 ,  大西大

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3013 ,  H01S2301/17

Abstract: 本发明的二维光子晶体激光器的特征在于，具有：在以AlαGa1-αAs(0＜α＜1)或(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≤β＜1、0＜γ＜1)作为原料的母材层内周期性地设置异折射率区域(空穴)(151)的二维光子晶体层(15)、和在二维光子晶体层(15)上利用外延法制作的外延生长层(16)。由于AlαGa1-αAs或(AlβGa1-β)γIn1-γP即使在高温下也很坚固，因此在制作外延生长层(16)时不会有破坏空穴(151)的形状的情况，可以将二维光子晶体层(15)的作为共振器的性能维持得较高。

公开(公告)号：CN101369714B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200810210649.0

申请日：2008-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2009

Abstract: 含有光子晶体构造的半导体激光器的制造方法，上述光子晶体构造具有空孔的排列，在该方法中，将基板(W2)设置在生长炉(13)中，使载气(氮)流动的同时，将生长炉(13)的温度上升到生长温度TG。在升温过程中，形成了图案的InGaN层(17a)的开口(17b)受到影响，开口(17b)中的AlX2Ga1-X2N生长及迁移和AlX2Ga1-X2N的表面相比被抑制。将氮化镓系半导体层(23)(例如GaN层)形成在InGaN层(17a)上。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1-X2N)(23)以形成和开口(17b)对应的空孔(25)的方式生长。由此形成二维光子晶体的二维衍射光栅(26)。

公开(公告)号：CN106410606A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610514060.4

申请日：2016-07-01

Applicant: 单智发

Inventor： 单智发

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/1228 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/3434

Abstract: 本发明公开一种DFB激光器的外延结构，包括InP衬底，在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层；在光栅层上面设置有二次外延层，所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层，所述光栅包层包括光栅覆盖层和过渡层，所述光栅覆盖层厚度大于光栅层厚度。本发明还公开上述DFB激光器外延结构的制备方法，其光栅覆盖层采用低温、脉冲式慢速生长，且同时通入850sccm-950sccm的PH3气体，抑制光栅层P的挥发；过渡层采用高温、快速生长。本发明能防止光栅层被刻蚀，提升DFB激光器外延结构品质，降低DFB激光器的应用成本。

公开(公告)号：CN105655868A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510849909.9

申请日：2015-11-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渊田步 ,  中村直干

IPC: H01S5/12

CPC classification number: H01S5/12 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明可抑制因折射率耦合型衍射光栅或者周期构造层的深度发生波动而引起的光耦合系数的波动。半导体光元件(100)具有半导体衬底(1)、衍射光栅(2)、衍射光栅掩埋层(3)、有源层(4)及包层(5)。衍射光栅(2)包含有在半导体衬底(1)上沿激光出射方向(Z方向)排列的多个光栅片(2a)。光栅片(2a)分别具有下侧部分(9)及设置在下侧部分(9)上的上侧部分(6)。光栅片(2a)各自的下侧部分(9)相连结，在衍射光栅(2)的下部形成1个层。上侧部分(6)具有第1折射率n1，下侧部分(9)具有第2折射率n2(其中n2

公开(公告)号：CN105075038A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480008894.7

申请日：2014-02-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 小林刚

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/125

CPC classification number: H01S5/1231 ,  G02B6/00 ,  G02B6/43 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/124 ,  H01S5/125 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4087

Abstract: 半导体激光元件具备：半导体层叠构造，其包含波导芯层，并具有分布反馈型激光器部和分布布莱克反射部，在所述分布反馈型激光器部中，所述波导芯层具有遍及光谐振器长度方向而连续的长度，并且在所述波导芯层的附近沿着该波导芯层而配置有衍射光栅层，在所述分布布莱克反射部中，所述波导芯层被离散地且周期性地配置，以形成衍射光栅；和电极，其用于向所述分布反馈型激光器部注入电流，所述分布反馈型激光器部使与所述衍射光栅层的周期相应的波长的激光振荡，在所述分布布莱克反射部中所述波导芯层所形成的衍射光栅被设定为具有包含所述激光的波长在内的阻带。由此，能够提供光输出高、且生产时的成品率良好的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1945365A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610142293.2

申请日：2006-06-16

Applicant: 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司

Inventor： D·P·布尔 ,  S·W·科尔赞

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/13 ,  G02F1/017 ,  H01S5/00 ,  H01S5/12 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/12 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/131 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34366 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 本器件是一种包括生长面、生长掩膜、光波导核心台面结构和包层的光电子器件或透明波导器件。生长掩膜位于半导体面上，并且限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口。光波导核心台面结构位于生长窗口中，并且具有梯形的截面形状。包层覆盖了光波导核心台面结构，并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。通过下述来制造这样的器件：提供包括生长面的晶片，通过微选择区域生长在第一生长温度在生长面上生长光波导核心台面结构，以及在比第一生长温度低的第二生长温度利用包层材料来覆盖光波导核心台面结构。

公开(公告)号：CN108110613A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201611063646.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周旭亮 ,  李召松 ,  王梦琦 ,  王嘉琪 ,  于红艳 ,  潘教青 ,  王圩

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/1206 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32333

Abstract: 一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层；刻蚀形成激光器阵列的脊台结构；掩埋、制作电极，完成器件制备。本发明中的塔尔博特干涉曝光使用不同周期的光刻板设计，通过一次曝光完成不同周期光栅的制作，从而实现半导体激光器阵列的多波长，减少了工艺步骤，提高了成品率；本发明可以实现激光器多波长直接输出、波导耦合输出等。