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公开(公告)号：CN104078842A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410123644.X
申请日：2014-03-28
申请人： 富士通株式会社
发明人： 松田学
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/124 , H01S5/0622 , H01S5/06258 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1225 , H01S5/22 , H01S5/2218 , H01S5/2231
摘要： 本发明涉及光学器件以及光学模块。该光学器件包括：布置在半导体衬底之上的有源层；布置在所述有源层之上的衍射光栅；部分地布置在所述衍射光栅之上的覆层；在所述衍射光栅之上布置在所述覆层的端部分的侧表面旁边的至少一个第一埋料层；以及在所述衍射光栅之上布置在所述覆层的中心部分的侧表面旁边的至少一个第二埋料层。所述至少一个第一埋料层的折射率与所述至少一个第二埋料层的折射率不同。
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公开(公告)号：CN102057545B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980120976.X
申请日：2009-06-03
申请人： 通用纳米光学有限公司
发明人： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金 , 维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼 , 阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克 , 尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/4031 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103107481A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源，其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
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公开(公告)号：CN102224647A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980146859.0
申请日：2009-10-21
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/02284 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/1053 , H01S5/1064 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/1237 , H01S5/2036 , H01S5/2205 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
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公开(公告)号：CN100533880C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580005245.2
申请日：2005-04-14
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B2006/12104 , G02F1/01708 , G02F2202/102 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/34306
摘要： 激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现，以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。
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公开(公告)号：CN101317312A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680040189.0
申请日：2006-08-30
申请人： 宜彼莱那光子学有限公司
发明人： 约翰·帕特乔
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0656 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器，特别是以基本上单纵模发射进行工作的激光器。所述激光器包括一个激光腔，所述激光器进一步包括具有一个界面的一个槽，其特征在于所述槽填充有一种反射材料，该反射材料相对于激光腔材料具有大的折射率虚部。所述槽的所述界面可以是倾斜的或具有一个阶梯，该阶梯引入了一个四分之一波长相移。
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公开(公告)号：CN106099640A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610533473.7
申请日：2012-04-18
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0217 , H01S5/0287 , H01S5/065 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2059 , H01S5/2215 , H01S5/2218 , H01S5/2219 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2275 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/185
摘要： 说明了一种具有桥形波导结构的激光光源，包括：具有多个功能层和有源区域的半导体层序列，所述有源区域适于在运行时产生激光，其中在半导体层序列的上部中的至少一个功能层被构造为桥形波导结构的桥，其中半导体层序列具有模滤波结构，所述模滤波结构构造为桥的一部分和/或沿着功能层的主延伸平面构造在桥旁边和/或垂直于功能层的主延伸平面构造在桥下方，其中主延伸平面垂直于半导体层序列的布置方向，其中在桥旁边的模滤波结构具有至少一个散射光滤波结构，该至少一个散射光滤波结构具有半导体层序列中的凹陷，以及所述模滤波结构具有弯曲的桥延伸方向。
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公开(公告)号：CN103430405B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280013510.1
申请日：2012-03-01
申请人： 索雷博量子电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/34 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/06256 , H01S5/1017 , H01S5/168 , H01S5/2224 , H01S5/2231
摘要： 提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括有源波导芯（29），被夹在沿激光器的波导轴延伸的上侧（22,26）和下侧（24）n‑型包覆层之间。该上侧n‑型包覆层的一部分（40）包括足够多的p‑型掺杂剂以变成p‑型且变成电隔离区。这些隔离区可仅被设置在激光器的窗口端面段（13,14）之一或这两者处，以在这些端面段中提供垂直隔离，从而减少进入激光器的端面区的电流、并帮助使可能有害的端面加热达到最小。可设置附加p‑型电隔离区（40）以形成沿激光器的波导轴延伸的电隔离的激光器段（10，12，16）。
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公开(公告)号：CN103430406A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280013813.3
申请日：2012-03-08
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/34 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/1017 , H01S5/168 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3402
摘要： 提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括沿激光器的波导轴延伸的一个或多个p型电隔离区（40）和多个电隔离的激光器段（10,12,16）。有源波导芯（20）被夹在上侧（22,26）和下侧（24）n型包覆层之间，且有源芯以及上侧和下侧n型包覆层延伸通过该量子级联激光器的电隔离的激光器各段。上侧n型包覆层的一部分包括足够多的p型掺杂剂变为p型且变为电隔离区，该电隔离区沿着用于分离该量子级联激光器各段的突出物、横跨上侧n型包覆层的厚度的至少一部分而延伸。
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公开(公告)号：CN102224647B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200980146859.0
申请日：2009-10-21
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/02284 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/1053 , H01S5/1064 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/1237 , H01S5/2036 , H01S5/2205 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
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