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公开(公告)号：CN102934300A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN102934300B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN103107481B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源,其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
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公开(公告)号：CN104201559B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201410409462.9
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种激光光源，尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面；过滤元件，其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的与所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射；其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在散热器上，以及其中所述过滤元件与所述主发射区并且与所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开，所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。
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公开(公告)号：CN104201559A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410409462.9
申请日：2011-04-06
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种激光光源，尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面；过滤元件，其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的与所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射；其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在散热器上，以及其中所述过滤元件与所述主发射区并且与所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开，所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。
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公开(公告)号：CN103107481A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源，其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
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