公开(公告)号：CN107851952A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201580080695.1

申请日：2015-06-05

Applicant: I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦

Inventor： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦

IPC: H01S3/063

CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/343 ,  H01S2301/185

Abstract: 具有镜面保护的半导体激光器装置包括横向上的具有双波导的结构以及纵向上的主分段和端部分段，所述双波导由有源波导和分离的或相邻的陷波波导组成，所述端部分段的上包层的厚度朝向反射镜逐渐减小。在主分段中，场分布是非对称的，主要位于下包层。在端部分段中，场分布逐渐进一步向下薄层传输。沿着端部分段，基模限制因子Γ逐渐且显著减小。限制因子Γ的减小防止有源区在出口反射镜上的投影的退化，激光元件对退换最敏感。

公开(公告)号：CN105742957A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610172695.0

申请日：2016-03-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王亚楠 ,  李耀耀 ,  王庶民 ,  曹春芳

IPC: H01S5/10

CPC classification number: H01S5/1082

Abstract: 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。

公开(公告)号：CN103329368A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280005963.X

申请日：2012-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  高木慎平 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  上野昌纪 ,  梁岛克典

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202

Abstract: 提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面（27、29）各自呈现支撑基体（17）的端面（17c）及半导体区域（19）的端面（19c）。激光结构体（13）包括第一及第二面（13a、13b），第一面（13a）为第二面（13b）的相反侧的面。第一及第二割断面（27、29）分别从第一面（13a）的边缘延伸至第二面（13b）的边缘。半导体区域（19）包含InGaN层（24）。半导体区域（19）可包含InGaN层（24）。割断面（29）包括设置于InGaN层（24）的端面（24a）的台阶（26）。台阶（26）沿着从该III族氮化物半导体激光元件（11）的一个侧面（22a）朝向另一个侧面（22b）的方向延伸。台阶（26）在割断面（27、29）中可形成于InGaN层（24）的端面（24a）的一部分或整体上。

公开(公告)号：CN102341977B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201080010475.9

申请日：2010-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。

公开(公告)号：CN101946378A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880127211.4

申请日：2008-12-17

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： A·莱利 ,  C·艾克勒 ,  W·施米德 ,  S·陶茨 ,  W·赖尔 ,  D·迪尼

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/166

Abstract: 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。

公开(公告)号：CN101910935A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123844.8

申请日：2008-11-19

Applicant: 哈佛大学的校长及成员们

Inventor： 费德里科·卡帕索 ,  虞南方 ,  乔纳森·凡

IPC: G02F1/29

CPC classification number: H01S5/1082 ,  B82Y20/00 ,  G02B5/008 ,  H01S5/005 ,  H01S5/1046 ,  H01S2301/14 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种对辐射进行准直的设备可包括亚波长尺寸的孔以及在金属膜上限定的邻近的一组槽，该金属膜与发射辐射的有源或无源装置一体形成。在激光器或其他辐射发射装置的端面上集成光束准直仪提供了光束准直和极化选择。与现有激光器的输出相比，光束发散度可减小一个以上数量级。具有孔槽结构的有源光束准直仪可与多种光学装置集成，例如半导体激光器(例如量子级联激光器)、发光二极管、光纤以及光纤激光器。

公开(公告)号：CN1879269A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033348.5

申请日：2004-11-09

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 沃尔夫冈·施密德 ,  彼得·布里克 ,  斯特凡·吕特根 ,  托尼·阿尔布雷希特 ,  弗朗茨·埃伯哈德

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/04

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01H13/705 ,  H01H13/86 ,  H01H2209/07 ,  H01H2223/008 ,  H01H2223/034 ,  H01H2239/032 ,  H01H2239/034 ,  H01H2239/038 ,  H01S3/094084 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。

公开(公告)号：CN1279667C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN01813668.0

申请日：2001-05-16

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： T·阿尔布雷希特 ,  N·林德 ,  J·卢夫特

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/04 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01S5/18305 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/1062 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1075 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/141 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

Abstract: 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。

公开(公告)号：CN1233077C

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN02810758.6

申请日：2002-05-31

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 杉本康宜 ,  落合真尚 ,  米田章法

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1677779A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510008475.6

申请日：2005-02-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野村康彦 ,  别所靖之 ,  畑雅幸 ,  山口勤

IPC: H01S5/40

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/4087

Abstract: 提高集成GaN类半导体激光元件与GaP类半导体激光元件的集成型半导体激光元件的激光特性，并实现长寿命化。在接合形成于GaN基板的由氮化物类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD2晶片的接合工序前，通过蚀刻加工形成氮化物类半导体激光器结构的共振器端面。镓磷类半导体激光器结构的共振器端面在接合工序后通过剪切加工形成。氮化物类半导体激光元件的共振器端面与镓磷类半导体激光元件的共振器端面在共振器的延长方向错位的状态下接合。