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公开(公告)号：CN102668280B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201080057439.8
申请日：2010-12-15
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1815 , H01S5/02208 , H01S5/02228 , H01S5/0224 , H01S5/02264 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01L2924/00014
摘要： 一种光学器件，包括：面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，其上设置面发射激光器阵列；以及透明构件，保持在封装构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括面发射激光器阵列发射的光束入射在其上的入射面。入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，发光部分之一发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分的另一最远的一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。
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公开(公告)号：CN101800398B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010107943.6
申请日：2010-02-01
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/187
CPC分类号： H01S5/18344 , H01S5/06226 , H01S5/18311 , H01S5/1835
摘要： 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，该垂直腔面发射激光器能够减小寄生电容同时抑制功耗。该垂直腔面发射激光器包括柱形台面，柱形台面在衬底上从衬底侧依次包括第一多层反射器、有源层、第二多层反射器，还包括电流窄化层。台面的包括有源层和电流窄化层的柱形部分形成在与第一多层反射器相对的区域和与第二多层反射器相对的区域内，且该柱形部分的截面面小于第二多层反射器的截面面积。
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公开(公告)号：CN102668280A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080057439.8
申请日：2010-12-15
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1815 , H01S5/02208 , H01S5/02228 , H01S5/0224 , H01S5/02264 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01L2924/00014
摘要： 一种光学器件，包括：面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，其上设置面发射激光器阵列；以及透明构件，保持在封装构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括面发射激光器阵列发射的光束入射在其上的入射面。入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，发光部分之一发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分的另一最远的一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。
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公开(公告)号：CN101582562B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910139045.6
申请日：2009-05-15
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
摘要： 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在-Y方向大于在+X和-X方向。
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公开(公告)号：CN102224646A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980146798.8
申请日：2009-11-24
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： G03G15/04 , B82Y20/00 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423
摘要： 本发明公开了一中表面发射激光器器件，其用以在垂直于衬底的方向上发射激光，包括围绕发射激光的发射表面上的发射区域的p侧电极；以及形成在发射区域的中心部分的外侧且在发射区域之内的外侧区域上以降低其反射率低于中心部分的透明介电膜。所述发射区域内的外侧区域在两个相互垂直的方向上具有形状各向异性。
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公开(公告)号：CN1987674A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610142202.5
申请日：2006-10-09
申请人： 富士施乐株式会社
发明人： 植木伸明
CPC分类号： H01S5/1835 , B82Y20/00 , H01L2224/24 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3432 , H01S2301/166
摘要： 本发明提供了用大氧化孔径垂直腔面发射激光器件的光学数据处理装置。光学数据处理装置包括：光源；光学系统，该光学系统将来自所述光源的光会聚于光学数据存储介质；以及用于在所述光学数据存储介质上扫描经会聚的激光的机构，所述光源包括发射激光的至少一个垂直腔面发射激光器件，所述至少一个垂直腔面发射激光器件在形成垂直谐振器结构的第一镜与第二镜之间包括有源区和电流限制部，并且在所述电流限制部中形成有直径等于或大于大约4微米的开口，用于施加电流。
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公开(公告)号：CN1905300A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610115026.6
申请日：2001-05-16
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/18305 , B82Y20/00 , H01S3/1062 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1017 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/1835 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/34313 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20)，而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外，本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1614836A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410092250.9
申请日：2004-11-05
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01S5/18355 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18338 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S2301/176
摘要： 本发明通过在晶面指数为(100)面等的普通衬底上制作的表面发光型半导体激光元件中，在台面内部的Al高浓度层部分形成非对称的选择氧化结构，对有源层中心部分施加各向异性的应力，从而提高偏振控制性。
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公开(公告)号：CN102983498B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210493444.4
申请日：2009-04-28
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要： 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层。
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公开(公告)号：CN101675539B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880014836.X
申请日：2008-04-24
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18308 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3095 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体芯片(1)，其具有半导体本体(2)，该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区(25)的半导体层序列。在半导体本体(2)上设置有反射结构(3)，反射结构具有反射层(4)以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构(5)。此外，提出了一种用于制造半导体芯片的方法。
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