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公开(公告)号：CN104579337A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410542232.X
申请日：2014-10-14
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 西田哲朗
IPC分类号： H03L7/26
CPC分类号： H03L7/26 , G04F5/145 , H01S5/0614 , H01S5/18302 , H01S5/18313 , H01S5/18341 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18386 , H01S5/18394 , H01S5/34313 , H01S2301/14 , H01S2301/176
摘要： 本发明提供一种发光装置以及原子振荡器。其中，发光装置的特征在于，包括：第一导电型的第一半导体多层膜反射镜、与上述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体多层膜反射镜、形成于上述第一半导体多层膜反射镜与上述第二半导体多层膜反射镜之间的活性层、形成于上述第一半导体多层膜反射镜与上述活性层之间的半绝缘型的第三半导体多层膜反射镜、以及形成于上述第三半导体多层膜反射镜与上述活性层之间的上述第一导电型的接触层，上述第三半导体多层膜反射镜由带隙能量比在上述活性层产生的光的能量大的材料构成。
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公开(公告)号：CN101356703B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200780001450.0
申请日：2007-08-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18322 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/423 , H01S2304/00 , H04N1/1135 , H04N1/1912 , H04N1/1917
摘要： 一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100)，包括：基板(101)及形成于基板上的台结构，该台结构中包含电流限制结构，其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域，该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。
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公开(公告)号：CN101582563B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910139387.8
申请日：2009-05-13
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18355 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G2215/0404 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423
摘要： 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
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公开(公告)号：CN101834408A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010130111.6
申请日：2010-03-03
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/0607 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01S5/3404 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2304/04
摘要： 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。
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公开(公告)号：CN101582563A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910139387.8
申请日：2009-05-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18355 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G2215/0404 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423
摘要： 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
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公开(公告)号：CN101356703A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001450.0
申请日：2007-08-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18322 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/423 , H01S2304/00 , H04N1/1135 , H04N1/1912 , H04N1/1917
摘要： 一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100)，包括：基板(101)及形成于基板上的台结构，该台结构中包含电流限制结构，其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域，该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。
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公开(公告)号：CN1853136A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480027027.4
申请日：2004-08-03
申请人： 伊斯曼柯达公司
IPC分类号： G02F1/13357 , H01L33/00
CPC分类号： G02F1/133603 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L27/32 , H01L27/3232 , H01L51/5262 , H01L51/5293 , H01S5/041 , H01S5/18302 , H01S5/18308 , H01S5/18355 , H01S5/36 , H01S5/4087 , H01S5/423
摘要： 一种用于产生偏振光的非对称光发射结构，其包括具有多种光发射形式的光发射层(17)，其中光发射形式的取向不受控制。来自光发射层(17)的发射光的接收由非对称几何元件(20)完成，该非对称几何元件(20)还产生偏振光。另外，非对称光发射结构(20)包括激发(12、16)光发射层(17)的装置。
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公开(公告)号：CN1199258A
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：CN98114968.5
申请日：1998-05-13
申请人： 莫列斯公司
CPC分类号： H01R13/405 , H01R43/20 , H01S5/18319 , H01S5/18327 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S2301/166 , Y10T29/49147 , Y10T29/49151 , Y10T29/49153 , Y10T29/49217 , Y10T29/53217
摘要： 一种制造电连接器(10)的方法,它包括一个绝缘外壳(12),它具有一组边靠边的沟道(42),由表外壳一边上的分割壁(40)隔开。一组端子(28)被安装在外壳上,端子的引导部分(34)被安排在沟道(42)之中。该方法包括,把端子的引导部分(34)密封到沟道(42)之中的步骤,由分割壁(40)在引导部分的表面形成第一或较小部分(54),以保持引导部分在沟道(42)之中,分割壁(40)的第二或主要部分(56)然后在引导部分的表面上形成,以牢固锁定引导部分在沟道(42)之中,密封步骤和第一形成步骤可以同时执行。
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公开(公告)号：CN104521078B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201380039785.7
申请日：2013-07-26
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0683 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , G01N21/255 , G01N21/272 , G01N21/4795 , G01N2021/399 , G01N2201/0612 , H01S3/10015 , H01S3/10061 , H01S3/105 , H01S3/1396 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/041 , H01S5/042 , H01S5/0607 , H01S5/0687 , H01S5/1039 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/34 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S2301/02
摘要： 本发明公开了一种放大的可调谐源，包括耦合到用于高功率，频谱成形操作的光学放大器的短腔激光器。所述短腔激光器被耦合到具有2个用于扩宽增益的量子态的量子阱半导体光学放大器。所述放大的可调谐源的2个优选波长范围包括1200‑1400nm和800‑1100nm。还公开了耦合到光纤放大器的短腔可调谐激光器。呈现了多种与所述放大的可调谐源的结合的可调谐滤光片，以降低噪声或改善光谱纯度。
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公开(公告)号：CN103222136B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180055676.5
申请日：2011-10-28
申请人： 维特拉斯有限责任公司
发明人： 马库斯·克里斯汀·阿曼 , 马库斯·奥特斯夫 , 约尔根·罗斯科普夫
CPC分类号： H01S5/18355 , H01S5/0282 , H01S5/18361 , H01S5/18377
摘要： 本发明涉及一种表面发射激光二极管，所述表面发射激光二极管具有由两个激光反射镜(1，3)界定的有源放大区域(2)，其中一个或多个偏振选择层(4)被设置用于稳定位于至少一个激光反射镜的与所述有源放大区域(2)相对的一侧的区域中的偏振，所述一个或多个偏振选择层(4)与各个激光反射镜(1，3)平行地延伸且具有偏振相关的折射率和/或吸收。
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