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公开(公告)号：CN113851928B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111109431.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN102136676A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110021124.4
申请日：2011-01-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18355 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18338 , H01S5/18358
Abstract: 面发射半导体激光器及其制造方法。面发射半导体激光器的制造方法包括如下步骤：形成堆叠结构，该堆叠结构在基板上依次具有包括至少一层下可氧化层的下多层膜反射器、具有发光区域的有源层、包括上可氧化层的上多层膜反射器以及上层；在该上层中提供第一凹槽；以及在该堆叠结构中提供第二凹槽，该第二凹槽包括平面形状与第一凹槽重叠的部分以及与第一凹槽不重叠的部分。
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公开(公告)号：CN110785901B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201880041719.6
申请日：2018-04-27
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。
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公开(公告)号：CN109923742A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780066313.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构20，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层21，其具有第一表面21a和在第一表面21a的相反侧上的第二表面21b；有源层23，其面向第一化合物半导体层21的第二表面21b；以及第二化合物半导体层22，其具有面向有源层23的第一表面22a和在第一表面22a的相反侧上的第二表面22b。所述发光元件还设置有：第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面21a侧；和第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面22b侧。所述第一光反射层41具有凹面镜部分43，所述第二光反射层42具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN109923742B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780066313.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110892597A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880046230.8
申请日：2018-05-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光装置设置有：层压结构20，其中层压有：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；以及光会聚/发散改变装置50，其中，第一光反射层41形成在凹面镜部分43上，所述第二光反射层42具有平坦形状。当有源层23中生成的光发射到外部时，进入光会聚/发散改变装置50之前的光的会聚/发散状态不同于穿过光会聚/发散改变装置50之后的光的会聚/发散状态。
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公开(公告)号：CN101834408B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010130111.6
申请日：2010-03-03
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/0607 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01S5/3404 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。
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公开(公告)号：CN102214896A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110073287.7
申请日：2011-03-25
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/02276 , H01S5/0261 , H01S5/18391 , H01S5/423 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括允许精确地估算元件温度的温度检测部分。该半导体发光装置包括：在半导体基板上的一个或多个面发射半导体发光部分和一个或多个半导体温度检测部分，该面发射半导体发光部分在半导体基板的法线方向上发光，该半导体温度检测部分不向外发光。该半导体发光部分和该半导体温度检测部分具有在半导体基板的法线方向上的PN结或者PIN结。
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公开(公告)号：CN110892597B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201880046230.8
申请日：2018-05-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光装置设置有：层压结构20，其中层压有：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；以及光会聚/发散改变装置50，其中，第一光反射层41形成在凹面镜部分43上，所述第二光反射层42具有平坦形状。当有源层23中生成的光发射到外部时，进入光会聚/发散改变装置50之前的光的会聚/发散状态不同于穿过光会聚/发散改变装置50之后的光的会聚/发散状态。
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