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公开(公告)号：CN101888059B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010179947.5
申请日：2010-05-10
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/10 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/16 , H01S5/2004 , H01S5/32341 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。
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公开(公告)号：CN101888059A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010179947.5
申请日：2010-05-10
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/10 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/16 , H01S5/2004 , H01S5/32341 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。
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公开(公告)号：CN102315589A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110177855.8
申请日：2011-06-29
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 本发明提供一种激光器二极管，该激光器二极管在L-I特性方面具有改善的扭折水平并且在水平横向模式方面能够获得稳定的高输出。该激光器二极管包括：有源层，由包括3B族元素中的至少镓(Ga)和5B族元素中的至少氮(N)的氮化物III-V族化合物半导体制成；n型化合物半导体层，提供在有源层一个表面上；以及p型化合物半导体层，提供在有源层的另一个表面上。n型化合物半导体层中的最靠近有源层的区域是高浓度区域，该高浓度区域的杂质浓度高于其它n型区域的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN110785901A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880041719.6
申请日：2018-04-27
申请人： 索尼公司
摘要： 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。
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公开(公告)号：CN102315589B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110177855.8
申请日：2011-06-29
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 本发明提供一种激光器二极管，该激光器二极管在L-I特性方面具有改善的扭折水平并且在水平横向模式方面能够获得稳定的高输出。该激光器二极管包括：有源层，由包括III族元素中的至少镓(Ga)和V族元素中的至少氮(N)的氮化物III-V族化合物半导体制成；n型化合物半导体层，提供在有源层一个表面上；以及p型化合物半导体层，提供在有源层的另一个表面上。n型化合物半导体层中的最靠近有源层的区域是高浓度区域，该高浓度区域的杂质浓度高于其它n型区域的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN110785901B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201880041719.6
申请日：2018-04-27
申请人： 索尼公司
摘要： 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。
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