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公开(公告)号：CN113851928B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111109431.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN103208740A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310003877.1
申请日：2013-01-06
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了激光二极管以及制造激光二极管的方法，一种激光二极管包括：半导体基底，由六方晶系III族氮化物半导体制成并且具有沿{2,0,-2,1}方向定向的半极性面；外延层，包括形成激光的光波导的发光层，并且形成在半导体基底的半极性面上，所述外延层使得激光的传播方向在光波导面内相对于c轴在光波导面上的投影方向以在大约8°至大约12°或者大约18°至大约29°的范围内的角度倾斜，所述光波导面包括激光的传播方向并且与半极性面平行；两个谐振器端面；第一电极；以及第二电极。
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公开(公告)号：CN110785901B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201880041719.6
申请日：2018-04-27
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。
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公开(公告)号：CN111670523A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201980011047.9
申请日：2019-02-06
Applicant: 索尼公司
Abstract: 该发光元件设置有通过层压以下元件而获得的层压结构：通过层压多个薄膜而形成的第一光反射层41；发光结构20；以及通过层压多个薄膜而形成的第二反光层42。通过层压第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22获得发光结构。在发光结构20中，平行于由有源层23占据的虚构平面形成光吸收材料层71(32)。Lop的值不同于Λ的值，并且第二光反射层42的厚度Tave具有不同于第二光反射层42的理论厚度TDBR的值，其中，λ0是振荡波长，neq是从有源层到光吸收材料层等效折射率，Lop是从有源层到光吸收材料层的光学距离，并且Λ≡{(2m+1)λ0}/(4neq)(其中，m是等于或大于零的整数)。
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公开(公告)号：CN106663919B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580031161.X
申请日：2015-04-16
Applicant: 索尼公司
Abstract: 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109923742A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780066313.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构20，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层21，其具有第一表面21a和在第一表面21a的相反侧上的第二表面21b；有源层23，其面向第一化合物半导体层21的第二表面21b；以及第二化合物半导体层22，其具有面向有源层23的第一表面22a和在第一表面22a的相反侧上的第二表面22b。所述发光元件还设置有：第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面21a侧；和第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面22b侧。所述第一光反射层41具有凹面镜部分43，所述第二光反射层42具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN106463909B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201580031408.8
申请日：2015-04-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件至少设置有：形成在基板(11)的前表面上的第一光反射层(41)；层压结构(20)，形成在第一光反射层(41)上并且由第一化合物半导体层(21)、活性层(23)以及第二化合物半导体层(22)构成；以及形成在第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。层压结构(20)由多个层压结构单元(20A)构成，层压结构单元(20A)分别构成发光元件单元(10A)，并且发光元件单元(10A)中的共振器长度随着发光元件单元中的每一个而变化。
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公开(公告)号：CN107851967B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680042134.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有：层状结构(20)，通过将由GaN基化合物半导体制成的第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)分层来形成该层状结构；模式损耗有效点(54)，其设置在第二化合物半导体层(22)上并且形成模式损耗有效区域(55)，该模式损耗有效区域对振荡模式损耗的增加/减少具有作用；第二电极(32)；第二光反射层(42)；第一光反射层(41)；以及第一电极(31)。在层状结构(20)中，形成有电流注入区域(51)、围绕电流注入区域(51)的非电流注入内部区域(52)以及围绕非电流注入内部区域(52)的非电流注入外部区域(53)。所述模式损耗有效区域(55)的投影图像覆盖非电流注入外部区域(53)的投影图像。
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公开(公告)号：CN104348084B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201410379682.1
申请日：2014-08-04
Applicant: 索尼公司
Abstract: 公开了一种发光元件及其制造方法。该制造方法顺序地包括(a)形成具有凸部形状的第一光反射层；(b)通过层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体；(c)在第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除用于制造发光元件的基板，并暴露出第一化合物半导体层的第一表面和第一光反射层；(f)蚀刻第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极。
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公开(公告)号：CN107112722A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580068863.5
申请日：2015-10-02
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种光学半导体装置具有一种层压结构20，其中，n型化合物半导体层21、有源层23和p型化合物半导体层22依次层压，有源层23设置有具有隧道势垒层33的多量子阱结构，与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的组分的波动大于另一个阱层311的组分的波动，与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的带隙能量小于另一个阱层311的带隙能量，并且与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的厚度大于另一个阱层311的厚度。
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