公开(公告)号：CN104143762B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410183449.6

申请日：2014-04-30

Applicant: 索尼公司

Inventor： 河野俊介 ,  仓本大 ,  幸田伦太郎

IPC: H01S5/065

Abstract: 本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括：锁模半导体激光元件组件，包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统，从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光；以及半导体光学放大器，具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体，该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。

公开(公告)号：CN102754121B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201180008152.0

申请日：2011-01-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胁田能宏 ,  中野淳 ,  仓本大 ,  今井裕

IPC: G06Q50/06 ,  H02J3/00

Abstract: 本发明提供一种用于认证电能的特征的方法。该方法包括获得密钥、获取电能的量以及根据量和密钥生成数字签名。该方法进一步包括生成包括签名和量的证书。

公开(公告)号：CN102570298B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110319081.8

申请日：2011-10-19

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 横山弘之 ,  河野俊介 ,  仓本大

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/14 ,  H01S5/068

CPC classification number: H01S5/0657 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。

公开(公告)号：CN103022058A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110281336.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 索尼公司 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 吉田浩 ,  池田昌夫 ,  内田史朗 ,  丹下贵志 ,  仓本大 ,  有持佑之 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  郑新和

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/078 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0735 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18325 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成，在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。

公开(公告)号：CN101847826B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010138524.9

申请日：2010-03-19

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 渡边秀辉 ,  宫岛孝夫 ,  池田昌夫 ,  大木智之 ,  仓本大 ,  横山弘之

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0625 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0602 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/14 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。

公开(公告)号：CN102629732A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210020425.X

申请日：2012-01-29

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 渡边秀辉 ,  幸田伦太郎 ,  仓本大 ,  长沼香 ,  横山弘之

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/141 ,  H01S5/342 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4006 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/176

Abstract: 本申请提供了一种具有阻止制造成本的增加与成品率和可靠性的减小的结构和构造并包括倾斜波导的次载具、次载具组件和次载具装配方法。具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上的次载具，波导具有相对于半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG(度)的轴线，并由具有折射率nLE的半导体材料制成，次载具包括：第一表面上的熔接材料层；以及形成于熔接材料层中的对准标记，允许以角度θSM＝sin-1[nLE·sin(θWG)/n0]识别对准标记，其中，半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0。

公开(公告)号：CN102315587A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185443.9

申请日：2011-06-30

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大木智之 ,  幸田伦太郎 ,  仓本大 ,  宫嶋孝夫 ,  横山弘之

IPC: H01S5/04

CPC classification number: H01S5/50 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/141 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4006

Abstract: 本发明提供一种半导体光放大器对准方法和一种用于进行该半导体光放大器的对准方法的光输出器件，其中，所述半导体光放大器对来自激光源的激光进行光学放大并输出所光学放大的激光。该对准方法包括以下步骤：通过在使来自所述激光源的所述激光进入所述半导体光放大器的同时向所述半导体光放大器施加给定值的电压(电流)，调整所述半导体光放大器与进入所述半导体光放大器的所述激光的相对位置，使得所述半导体光放大器中的电流(电压)成为最大值。根据本发明，能够在不依靠外部监测器件的情况下实现入射激光与半导体光放大器的光波导之间的耦合效率的优化。

公开(公告)号：CN101834406A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010129840.X

申请日：2010-03-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 一仓启慈 ,  仓本大

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063

Abstract: 一激光二极管装置，包括：包含铝Al的n型覆层；包含铟In、镓Ga和氮N的有源层；设置于衬底和n型覆层之间的共掺杂层。该共掺杂层也包含镓Ga和氮N，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅Si和锗Ge之一和作为受主工作的杂质的镁Mg和锌Zn之一。

公开(公告)号：CN106663919B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201580031161.X

申请日：2015-04-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 风田川统之 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  仓本大

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。

公开(公告)号：CN103117511A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210353540.9

申请日：2012-09-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 幸田伦太郎 ,  渡边秀辉 ,  仓本大 ,  河野俊介 ,  宫嶋孝夫

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/166

Abstract: 提供了一种发光器件，其包括：（a）通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构；（b）形成于第二化合物半导体层上的第二电极；以及（c）电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层，该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。