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公开(公告)号：CN103022058A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281336.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/078 , H01L31/0352 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/0687 , H01L31/06875 , H01L31/0735 , H01S5/0262 , H01S5/0425 , H01S5/18325 , H01S5/3095 , H01S5/4043 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成，在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。
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公开(公告)号：CN103367480B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310302507.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 索尼公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
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公开(公告)号：CN103367480A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310302507.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 索尼公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
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公开(公告)号：CN103579380A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210281451.8
申请日：2012-08-09
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L33/42
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/022408 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1884 , H01L33/0025 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01S5/0425 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S5/34313 , H01S5/34333 , Y02E10/544
Abstract: 提供包括电极的受光或者发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管以及面发光激光元件，所述电极具有低的接触电阻值和高的透光率。受光/发光元件（11）具有：受光/发光层（21），多个化合物半导体层层叠而成；以及电极（30），由透明导电材料构成，具有第1面（30A）以及相对于第1面的第2面（30B），在第1面（30A）中与受光/发光层（21）接触，在透明导电材料中包含有由从由钼、钨、铬、钌、钛、镍、锌、铁以及铜组成的组中选择的至少一种金属或者其化合物构成的添加物，在电极（30）的第1面（30A）的界面附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度比在电极（30）的第2面（30B）的附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度还高。
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公开(公告)号：CN103022057A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281329.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03046 , H01L31/0352 , H01L31/06875 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池，该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11)，(12)，(13)，(14)叠层而成，子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成，至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1，11A2)和第2层(11C)构成，第1层(11A1，11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成，第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成，基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A，基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B，基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104617118A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410562022.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备。所述固态摄像装置包括：Si基板，在所述Si基板中形成有用于对从后表面侧入射的可见光进行光电转换的光电转换单元；以及下基板，所述下基板设置在所述Si基板下方，并且用于对从所述后表面侧入射的红外光进行光电转换。根据本发明，能够分离地获得可见光和红外光。
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公开(公告)号：CN1305193C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN02811751.4
申请日：2002-06-14
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。
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公开(公告)号：CN106794632A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055674.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 索尼公司
IPC: B29C64/268 , B29C64/273 , B29C64/135 , B33Y30/00 , G02B26/10
Abstract: 一种光学成型装置，包括：输出准直光的光源单元；布置在准直光的光路上并调制准直光的光路或相位的光学功能单元；以及控制光学功能单元的操作以利用光学功能单元中产生的调制光照射对象表面的控制单元。
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公开(公告)号：CN104617118B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201410562022.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备。所述固态摄像装置包括：Si基板，在所述Si基板中形成有用于对从后表面侧入射的可见光进行光电转换的光电转换单元；以及下基板，所述下基板设置在所述Si基板下方，并且用于对从所述后表面侧入射的红外光进行光电转换。根据本发明，能够分离地获得可见光和红外光。
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公开(公告)号：CN102122792A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010519048.5
申请日：2010-10-21
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/0264 , H01S5/18313 , H01S5/18325
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，通过简单的制造工艺实现提高的光检测精度。除了用于窄化电流的第一氧化层之外，在活性层和半导体光检测元件之间设置一个或多个第二氧化层。由于自发发射光包括许多发散分量，自发发射光被第二氧化层反射和散射，则抑制了自发发射光向半导体光检测元件侧的传播。经半导体光检测元件的自发发射光的检测强度降低，从而提高了光检测精度。第一和第二氧化层通过单一的氧化工艺形成，使得制造工艺被简化。
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