公开(公告)号：CN103022058A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110281336.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 索尼公司 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 吉田浩 ,  池田昌夫 ,  内田史朗 ,  丹下贵志 ,  仓本大 ,  有持佑之 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  郑新和

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/078 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0735 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18325 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成，在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。

公开(公告)号：CN103022057A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110281329.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 索尼公司 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 吉田浩 ,  池田昌夫 ,  内田史朗 ,  丹下贵志 ,  仓本大 ,  有持佑之 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  郑新和

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06875 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池，该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11)，(12)，(13)，(14)叠层而成，子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成，至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1，11A2)和第2层(11C)构成，第1层(11A1，11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成，第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成，基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A，基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B，基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。