-
公开(公告)号：CN113437198B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
-
公开(公告)号：CN113808911A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553969.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
-
公开(公告)号：CN110870924A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811016406.3
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明公开一种导电聚合物活性医疗导管的制备方法，包括：将包含导电聚合物、碳纳米管、第一离子液体及水的混合分散液制成导电聚合物/碳纳米管复合电极膜；以承载离子液体聚合物制作空心柱体，并使所述空心柱体热溶胀吸收第二离子液体，获得空心柱状电解质层；将所获空心柱状电解质层置于至少两个导电聚合物/碳纳米管复合电极膜之间形成夹心结构，再对该夹心结构进行热压，形成导电聚合物活性医疗导管。本发明通过在外加低电压作用下，依靠活性离子在电极材料中的可逆脱嵌，实现可逆的驱动响应形变，使导电聚合物活性医疗导管具有主动弯曲和导向功能，且导电聚合物活性医疗导管的制备方法简单，成本较低，在医疗导管材料领域有广阔应用前景。
-
公开(公告)号：CN113776026A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110964612.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开一种发光装置，包括框体、光源组件以及气凝胶层，所述框体具有一侧开口的安装腔，所述光源组件设于所述安装腔，所述光源组件用于发出光线，所述气凝胶层设于所述安装腔且位于所述光源组件的发光侧，其中，所述光线入射所述气凝胶层以使所述气凝胶层呈现预设颜色。本发明提供的发光装置，通过在所述光源组件的发光侧设置所述气凝胶层，所述光源组件发出的光线经过所述气凝胶层中的孔洞会发生瑞利散射，从而使所述气凝胶层呈现蓝色，通过模拟蓝天形成的过程呈现出蓝天效果，所述气凝胶层内部孔洞分布均匀，提高所述气凝胶层上呈现蓝色的均匀性，模拟蓝天的效果好；且所述气凝胶层性质稳定，利于发光装置的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN113517375A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110324699.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 佛山中国科学院产业技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开一种III‑V族氮化物半导体基板的制备方法，包括：步骤一：样品的制备，在衬底的第一表面上生长形成缓冲层；在所述缓冲层上生长III‑V族氮化物半导体材料层；步骤二：样品的电化学腐蚀，将样品和惰性金属放入电解质溶液中，并将所述衬底的第二表面连接电源正极，将电源负极连接惰性金属，通电进行电化学腐蚀，所述衬底和所述缓冲层之间被腐蚀分离，得到III‑V族氮化物半导体基板。本发明技术方案通过在衬底与缓冲层之间形成异质结，界面处会形成高导电层，电化学腐蚀会从此高导电层开始腐蚀，从而将III‑V族氮化物半导体材料层和衬底进行剥离，这种剥离方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331552A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011333728.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本发明通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。
-
公开(公告)号：CN108417627A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140968.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。
-
公开(公告)号：CN113831785A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010515510.8
申请日：2020-06-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: C09D11/30 , C09D11/38 , C09D1/00 , C09D7/62 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/48 , C09C1/04 , C09C1/00 , C09C1/36 , C09C1/40 , C09C3/12 , C09C3/08
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法。所述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜包括钙钛矿材料，以及与所述钙钛矿材料复合的基于化学修饰的金属氧化物材料，所述基于化学修饰的金属氧化物材料是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂、具有酰氯基团的化合物两步化学修饰而获得。所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、金属氧化物掺杂钙钛矿层、富勒烯电子传输层及顶电极，所述金属氧化物掺杂钙钛矿层包括前述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜。本发明提供的金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜，热稳定性更高，能够提供稳定性更高的钙钛矿太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN113437198A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
-
公开(公告)号：CN113782646A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010517504.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
5097
records
(took 0.106 seconds)
