公开(公告)号：CN112331552A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011333728.8

申请日：2020-11-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院

Inventor： 孙钱 ,  汤文君 ,  赵征途 ,  冯美鑫

IPC: H01J61/40 ,  H01J61/35 ,  H01J65/04

Abstract: 本发明公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本发明通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。

公开(公告)号：CN213304066U

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202022749878.9

申请日：2020-11-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院

Inventor： 孙钱 ,  汤文君 ,  赵征途 ,  冯美鑫

IPC: H01J61/40 ,  H01J61/35 ,  H01J65/04

Abstract: 本实用新型公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本实用新型通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。

公开(公告)号：CN113437198B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202110792197.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 李文博 ,  孙钱 ,  张智聪 ,  杨勇 ,  汤文君

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。

公开(公告)号：CN113437198A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110792197.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 李文博 ,  孙钱 ,  张智聪 ,  杨勇 ,  汤文君

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。

公开(公告)号：CN213401192U

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202022147638.1

申请日：2020-09-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院

Inventor： 李文博 ,  孙钱 ,  杨勇 ,  汤文君 ,  吴迅飞

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

Abstract: 本实用新型涉及一种深紫外LED封装结构，其中无机深紫外LED封装结构包括陶瓷基板、玻璃盖板和LED芯片，陶瓷基板安装有若干个LED芯片，玻璃盖板贴合在陶瓷基板装有LED芯片一侧；玻璃盖板设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽的内表面与LED芯片的边缘贴合或留有间隙。采用平面陶瓷基板大大降低器件材料成本，直接采用平面玻璃盖板上设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽大小与LED芯片的大小相等或略大于LED芯片，因此玻璃盖板在盖合后，深紫外LED芯片与玻璃盖板几乎完全贴合，光线直接由LED芯片射入玻璃盖板，减少一次介质损失，芯片与盖板之间间隙较小甚至没有，不需考虑真空封装或空气封装问题，减少影响可靠性因素,提高器件的可靠性。