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公开(公告)号：CN112331552A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011333728.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本发明通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。
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公开(公告)号：CN213304066U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022749878.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种准分子灯，包括透光容器、至少一对电极和具有滤波功能的介质膜层，所述透光容器内封装有放电用气体，所述至少一对电极之间能够形成使放电用气体发生电离的电场，介质膜层设置于透光容器的外表面。本实用新型通过在准分子灯高电场区外侧增加带有滤波功能的介质膜，使得准分子灯具有单色性好、输出功率高、稳定性和可靠性好等优点，有助于拓宽准分子灯的应用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113517375A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110324699.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 佛山中国科学院产业技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开一种III‑V族氮化物半导体基板的制备方法，包括：步骤一：样品的制备，在衬底的第一表面上生长形成缓冲层；在所述缓冲层上生长III‑V族氮化物半导体材料层；步骤二：样品的电化学腐蚀，将样品和惰性金属放入电解质溶液中，并将所述衬底的第二表面连接电源正极，将电源负极连接惰性金属，通电进行电化学腐蚀，所述衬底和所述缓冲层之间被腐蚀分离，得到III‑V族氮化物半导体基板。本发明技术方案通过在衬底与缓冲层之间形成异质结，界面处会形成高导电层，电化学腐蚀会从此高导电层开始腐蚀，从而将III‑V族氮化物半导体材料层和衬底进行剥离，这种剥离方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN108417627A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140968.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN108718030B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108718030A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的 氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在 氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108336642A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810140969.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: H01S5/0421 , H01S5/32
Abstract: 本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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