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公开(公告)号：CN108417627A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810140968.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN108718030B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108718030A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的 氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在 氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN108336642A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810140969.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: H01S5/0421 , H01S5/32
Abstract: 本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN118969924A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410063695.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L33/14 , H01L33/02 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种紫外光电子器件的外延结构及其应用。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本发明提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114204407B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202111519462.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光器管芯的封装结构以及封装方法，所述激光器管芯的封装结构包括激光器管芯、第一散热体和第二散热体，所述第二散热体具有一接触部，所述接触部的表面依次蒸镀有铟层和金层；所述激光器管芯的一侧面经过渡热沉与所述第一散热体固定连接，其另一侧面与所述接触部蒸镀有铟层和金层的表面形成热接触。本发明的激光器管芯的封装结构，其能够增强激光器管芯的散热能力，确保激光器管芯具有高输出功率和具有高的可靠性。
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公开(公告)号：CN118039456A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211471433.6
申请日：2022-11-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01S5/30 , C23C14/02 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种III‑V族半导体材料的选区外延生长方法及应用。所述方法包括：在半导体材料基底上设置表面经过活化处理的图形化掩膜层，之后在半导体材料基底上外延生长III‑V族半导体材料，并且III‑V族半导体材料在图形化掩膜层表面及半导体材料基底表面能均匀成核。本发明主要是通过活化掩膜层表面来提高III‑V族半导体选区外延的均匀性，可以有效降低选区外延材料的厚度与掺杂的均匀性对于掩膜图形尺寸的依赖，能够在较低外延生长温度下实现高质量的III‑V族半导体选区外延材料的规模量产，很好地克服了现有技术中在III‑V族半导体材料选区外延时存在的薄膜均匀性差、高效掺杂难和刻蚀损伤等缺点。
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公开(公告)号：CN116525407A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210066938.8
申请日：2022-01-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物基半导体材料及其制作方法。所述制作方法包括：在反应室内设置III族氮化物刻蚀准备层；向所述反应室内输入卤素基源对III族氮化物刻蚀准备层的表面进行原位处理，以使所述III族氮化物刻蚀准备层表面附近产生多个III族阳离子空位缺陷；向所述反应室内输入氮源和金属源，在原位处理后的III族氮化物刻蚀准备层表面生长形成III族氮化物半导体材料层。本发明实施例提供的一种III族氮化物基半导体材料的制作方法，工艺简单，重复可控，完全适合大规模生产，采用卤素基源进行原位表面处理，可以完全兼容MOCVD等设备非常适合于高质量AlGaN等III族氮化物材料的大规模生产。
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公开(公告)号：CN116266618A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111549806.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。
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公开(公告)号：CN116190515A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111417914.4
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层与有源区之间还分布有具有微纳结构的反射层，所述反射层至少用于将从有源区向p型层传播的光向n型层反射。本发明提供的发光二极管，取光效率高、串联电阻小，可大幅提升电光转换效率和可靠性。
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