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公开(公告)号：CN118073963A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211469752.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法。该激光器包括第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二光学限制层、接触层、绝缘介质层，该接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成脊型结构；该绝缘介质层至少覆设在脊型结构的顶端面上，并具有图形化结构，图形化结构包括间隔分布的多个周期性图案，并且接触层从脊型结构顶端面上未被周期性图案覆盖的区域暴露出；脊型结构的顶端面上还覆设有第一电极，其与接触层形成欧姆接触。本申请通过采用以上设计，能在激光器中形成侧向非均匀性波导结构，并能吸收高阶模，从而能抑制侧向高阶模式的产生，进而有效改善激光器的光束质量。
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公开(公告)号：CN118040453A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211420232.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/0237 , G01N19/04 , H01S5/02 , H01S5/024
Abstract: 本申请公开了一种提高氮化镓基激光器管芯焊接强度的结构及方法。所述的方法包括：提供氮化镓基激光器的外延结构：在导电衬底的第二面即激光器的N侧面上加工形成一个以上沟槽，第二面与第一面相背设置，之后在导电衬底的第二面上形成N型电极，然后通过导热焊料层将N型电极表面与高导热率过渡热沉焊接结合，其中各沟槽被N型电极和导热焊料层的局部区域填充。本申请通过在氮化镓基激光器管芯的N侧表面形成沟槽结构，并将该N侧表面与高导热率过渡热沉通过共晶焊方法焊接，可以大幅增加焊接面积，显著提高焊接强度，使得管芯与高导热率过渡热沉不易脱落，有效提升了氮化镓基激光器管芯焊接的可靠性和成品率。
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公开(公告)号：CN114203888B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111291300.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 佛山中科产业技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外LED封装器件。紫外LED封装器件包括基板、外壳、镜片。基板上设有金属镀层。外壳围设于基板，并连接于金属镀层，基板与外壳围设形成安装槽。外壳背离基板的一侧设有镜片，镜片将安装槽密封。其中，紫外LED设于安装槽内，安装槽内设有反射层。通过基板与外壳的无机连接，以及在安装槽内设置反射层，使得基板、外壳、以及镜片采用无机的连接方式组装形成紫外LED封装器件，加强紫外LED封装器件的抗老化能力，并且在安装槽内设置反射层，提高紫外LED封装器件的光提取效率。
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公开(公告)号：CN116266618A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111549806.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。
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公开(公告)号：CN118040476A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211420387.7
申请日：2022-11-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种适用于倒装焊的氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。所述氮化镓基激光器管芯结构包括外延结构；该外延结构包括第一、第二欧姆接触电极接触层，第一、第二光学限制层，第一、第二波导层、有源区等；并且该外延结构还包括台阶结构、脊型结构和凹槽结构，台阶结构分布在该外延结构于激光器谐振腔上的两侧边缘部；凹槽结构沿激光器谐振腔方向分布在脊型结构两侧，并且凹槽结构的槽口、槽底分别设置于第二欧姆接触电极接触层表面、第二波导层内部。本申请可以有效克服在将激光器管芯与高热导率过渡热沉倒装焊接在一起时，因管芯倾斜、焊料从侧边溢出引起短路等问题，从而大幅提高激光器管芯倒装焊接的可靠性和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118040475A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211373228.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。该激光器管芯结构包括依次层叠的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成激光器的脊型结构，第一、第二电极接触层分别与第一、第二电极分别与电连接，并且激光器管芯结构还包括高阻区，高阻区至少形成于第二波导层内，并分布在脊型结构两侧，且与脊型结构邻近设置；第二电极至少连续覆设于脊型结构表面，且与脊型结构表面直接接触。本申请的技术方案能够有效提高激光器的基膜激光输出功率，并明显改善其热特性。
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公开(公告)号：CN117748292A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211112921.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种氮化镓激光器及基于反波导改善其横向模式的方法。所述的方法包括：对氮化镓激光器的外延结构进行加工，以将其中的接触层、第二光学限制层和第二波导层部分去除，从而形成脊型结构；在第二波导层表面位于所述脊型结构周围的至少部分区域上设置高折射率薄膜，以形成反波导结构。本申请通过在氮化镓激光器中形成所述的反波导结构，可以实现对脊型结构以外区域有效折射率的调制，为脊型结构与其以外区域的有效折射率差的调制提供了一种有效手段，进而通过调整该有效折射率差的大小，能够抑制更多高阶模式的产生，减小光束质量M2因子，显著改善氮化镓激光器的光斑质量。
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公开(公告)号：CN116093227A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111316647.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED结构及其制作方法。所述垂直结构深紫外LED结构包括外延层，该外延层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层等；该外延层具有相背对的第一、第二面，该第二面远离该第一导电半导体层设置，该第二面上还开设有至少一个第二沟槽，第二沟槽的槽底面分布在该外延层的第一面上，第二沟槽的槽底面上覆盖有保护层，同时第二沟槽内还填充有应力匹配材料。本发明可以有效防止或消除在去外延衬底时因外延层应力过大导致外延层脱落等问题，同时还可以显著改善深紫外LED器件水平方向的出光，提升光提取效率，并且还有助于有效降低器件侧壁漏电的风险，大幅提升器件生产良率及改善器件可靠性。
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公开(公告)号：CN116072793A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111285852.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光效发光二极管器件结构及其制作方法。所述高光效发光二极管器件结构包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。本发明通过采用第一反射层与其保护层为相同形状和面积，且第一反射层与绝缘层为互补图形结构的设计，可以有效消除因Ag迁移等带来的器件可靠性差等问题，克服因低反射率保护层材料吸光带来的缺陷，显著提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN114203888A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111291300.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 佛山中科产业技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外LED封装器件。紫外LED封装器件包括基板、外壳、镜片。基板上设有金属镀层。外壳围设于基板，并连接于金属镀层，基板与外壳围设形成安装槽。外壳背离基板的一侧设有镜片，镜片将安装槽密封。其中，紫外LED设于安装槽内，安装槽内设有反射层。通过基板与外壳的无机连接，以及在安装槽内设置反射层，使得基板、外壳、以及镜片采用无机的连接方式组装形成紫外LED封装器件，加强紫外LED封装器件的抗老化能力，并且在安装槽内设置反射层，提高紫外LED封装器件的光提取效率。
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