公开(公告)号：CN104425617B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410429498.3

申请日：2014-08-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹胁利至 ,  宫本广信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/80

Abstract: 改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。

公开(公告)号：CN108010843B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201711137450.5

申请日：2017-11-16

Applicant: 厦门市三安集成电路有限公司

Inventor： 房育涛 ,  叶念慈

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了一种通过极化掺杂的方法制备增强型GaN基晶体管的方法。利用AlN和GaN的自发极化强度之间存在较大的差别，可以通过组分渐变的AlxGa1‑xN实现极化掺杂获得P型AlxGa1‑xN层。在GaN基材料外延生长Al组分逐渐减小的P‑型AlxGa1‑xN层，然后在P‑型AlxGa1‑xN层上生长AlxGa1‑xN层，AlxGa1‑xN层为Al组分x从0％‑10％增加到15％‑35％的组分渐变层或x为15％‑35％的组分固定层，再制作与AlxGa1‑xN层形成欧姆接触的源、漏极以及与P‑型AlxGa1‑xN层形成肖特基接触的栅极。通过改变P‑型AlxGa1‑xN的组分厚度可以调节器件开启电压，通过改变AlxGa1‑xN层的厚度和组分可以调节导通电阻，从而获得低导通电阻高开启电压的增强型GaN基晶体管。制作方法简单，无特殊工艺要求，可控性强。

公开(公告)号：CN106098757B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN109638071A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811384310.2

申请日：2018-11-20

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 王东 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  张进成 ,  何滇 ,  伍旭东 ,  檀生辉 ,  卫祥 ,  张金生 ,  郝跃

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括Si衬底、低温氮化铝成核层、铝镓氮过渡层一、铝镓氮过渡层二、铝镓氮过渡层三、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、分居两端的漏电极和源电极以及两者中间的栅电极，上述各层从下至上依次排布，其中在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，栅电极和铝镓氮势垒层之间还设有栅介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于Si衬底氮化镓HEMT器件应用。

公开(公告)号：CN109585542A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811137574.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 杨亚谕 ,  杜尚儒 ,  张宗正 ,  刘家呈

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207

CPC classification number: H01L29/78 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明公开一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1-x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1-x2N，0

公开(公告)号：CN108735812A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810373479.1

申请日：2018-04-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高桥新之助 ,  青池将之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种能使漏电流降低的半导体装置。配置于半导体基板上的半导体层包括活性区域和在俯视时包围活性区域的元件隔离区域。在活性区域形成有场效应晶体管。彼此分离的多个保护环电极经由元件隔离区域对活性区域的电位造成影响。在半导体层、场效应晶体管以及保护环电极上形成有层间绝缘膜。形成于层间绝缘膜上的保护环连接布线对多个保护环电极进行相互电连接。

公开(公告)号：CN108713253A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201680083045.7

申请日：2016-04-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·W·田 ,  S·达斯古普塔 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  P·B·菲舍尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L23/367 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种设备包括衬底上的晶体管器件，该晶体管器件包括：本征层，该本征层包括沟道；在沟道的相对侧上的源极和漏极；以及在本征层与源极和漏极中的每个之间的扩散阻挡，该扩散阻挡的导带能量小于沟道的导带能量并且大于源极和漏极的材料的导带能量。一种方法包括：在衬底上为晶体管器件的沟道界定本征层区域；在为源极和漏极界定的区域中形成扩散阻挡层；以及在为源极界定的区域中在扩散阻挡层上形成源极，并且在为漏极界定的区域中形成漏极。

公开(公告)号：CN108538917A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810176173.7

申请日：2018-03-02

Applicant: 电力集成公司

Inventor： A·库迪莫夫 ,  J·拉姆达尼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1033

Abstract: 一种半导体器件，其包括衬底和布置在所述衬底上的第一有源层。所述半导体器件也包括布置在所述第一有源层上的第二有源层，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间出现横向导电沟道。在所述第二有源层上布置有源极、栅极和漏极接触部。导电电荷分布结构布置在第二有源层上位于栅极接触部和漏极接触部之间。导电电荷分布结构电容耦合到栅极接触部。

公开(公告)号：CN104051520B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410172703.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： B·帕德玛纳伯翰 ,  P·温卡特拉曼 ,  小J·M·帕西 ,  A·萨利赫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/785 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及高电子迁移率的半导体器件及其方法。在一个实施例中，III族‑氮化物材料用于形成半导体器件。鳍形结构用III族‑氮化物材料形成，且以与鳍形结构分离的关系形成栅结构、源电极和漏电极。该鳍形结构提供极化和半极化的2DEG区域两者。在一个实施例中，栅结构配置为控制极化的2DEG区域中的电流。屏蔽导体层被包括在栅结构上方并与半导体器件的漏区处于分离关系。

公开(公告)号：CN108155232A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711261540.5

申请日：2017-12-04

Applicant: 维西埃-硅化物公司

Inventor： 艾曼·谢比卜 ,  凯尔·特里尔

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。第二HEMT包括耦合到源极和漏极的第二栅极。第二HEMT具有比第一HEMT更低的阈值电压。