公开(公告)号：CN113782646A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202010517504.6

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院

Inventor： 张建亚 ,  陆书龙 ,  赵宇坤 ,  邢志伟 ,  周敏

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。

公开(公告)号：CN119403165A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202310916603.5

申请日：2023-07-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵宇坤 ,  陆书龙 ,  顾修硕 ,  周敏 ,  张建亚

IPC: H10D30/43 ,  H10D30/01 ,  H10D62/85 ,  H10D84/82 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  G06N3/067 ,  G06N3/06

Abstract: 本发明公开了一种纳米突触集成器件及其制备方法。该纳米突触集成器件包括：衬底；设置于衬底上的绝缘层；设置于绝缘层上的多个纳米突触单元；所述纳米突触单元包括相对设置的第一微电极和第二微电极以及设置第一微电极和第二微电极之间的GaN基纳米线，所述GaN基纳米线的第一端键合连接在所述第一微电极上，所述GaN基纳米线的第二端键合连接在所述第二微电极上。本发明使用GaN基纳米线作为器件中的突触元件，GaN基纳米线具有可控的直接带隙，而且物理化学性质稳定。在该纳米突触集成器件中，多个纳米突触单元集成设置在同一衬底上，可以规模制备、体积小且集成度高；多个纳米突触单元可分别独立地控制或者是可按照排布好的阵列图案进行总体阵列控制。

公开(公告)号：CN113782646B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202010517504.6

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ,  江西省纳米技术研究院

Inventor： 张建亚 ,  陆书龙 ,  赵宇坤 ,  邢志伟 ,  周敏

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/82 ,  H10H20/833 ,  H10F71/00 ,  H10F77/70 ,  H10F77/20 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。

公开(公告)号：CN118919581A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202310509550.5

申请日：2023-05-08

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 蒋敏 ,  陆书龙 ,  赵宇坤 ,  周敏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物基纳米线柔性光电电化学探测器及其制备方法。其中，柔性光电电化学探测器包括：柔性导电衬底，包括柔性基底和形成在柔性基底上的导电层；III族氮化物基纳米线，连接在导电层上；绝缘材料层，覆设于柔性导电衬底上并具有通孔，III族氮化物基纳米线被包围在通孔中并从绝缘材料层的表面上暴露出；准固态电解质层，覆设于绝缘材料层上并填充通孔以包覆III族氮化物基纳米线；对电极层，连接在准固态电解质层上。本发明中使用III族氮化物基纳米线作为光电电化学探测器的工作电极，提高了探测器的稳定性，进一步地，基于III族氮化物基纳米线的工作电极并结合准固态电解质，可以减小器件的体积而适于进行器件的高度集成。

公开(公告)号：CN118251117A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211657304.6

申请日：2022-12-22

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵宇坤 ,  陆书龙 ,  周敏 ,  徐紫葳

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种柔性类脑芯片及其制备方法。柔性类脑芯片包括叠层设置的柔性衬底、底电极层、忆阻结构层和顶电极层，所述忆阻结构层包括叠层设置的第一外延层、发光层和第二外延层，所述第一外延层位于所述底电极层上，所述顶电极层位于所述第二外延层上，所述发光层的材料为氮化铟镓，所述第一外延层和所述第二外延层之一的材料为n型掺杂半导体材料且另一的材料为p型掺杂半导体材料。在该柔性类脑芯片中，由两层外延层和一层发光层构成忆阻结构层，可以实现感受外部信号实现忆阻功能，也可以在电压下发光实现光源刺激功能，实现了柔性类脑芯片的复合功能。

公开(公告)号：CN111063747A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911358142.4

申请日：2019-12-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙强健 ,  龙军华 ,  黄欣萍 ,  邢志伟 ,  李雪飞 ,  周敏 ,  顾宇强 ,  陆书龙

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种低成本欧姆接触电极的制备方法，包括：提供一基底；在所述基底上设置一层带有电极图案的蓝膜；在所述蓝膜上表面旋涂银浆后，撕下所述蓝膜形成银浆电极，其中，所述银浆旋涂后同时覆盖所述蓝膜和所述基底；对银浆电极快速热退火处理，形成欧姆接触电极。本发明还提供了一种太阳电池。本发明在基底表面覆盖蓝膜后通过旋涂银浆形成银浆电极，可以实现在基底上制备出具有低电阻、高稳定性的欧姆接触电极，而且样品表面平整，制备工艺简单，与金属蒸镀工艺相比，电极成本骤降，未来可应用在太阳电池片上，具有广泛的应用前景。