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公开(公告)号：CN113808911A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553969.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN113782646A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010517504.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN119935359A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510042905.3
申请日：2025-01-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请提供了一种自驱动可穿戴压力传感器及其制造方法。自驱动可穿戴压力传感器包括柔性导电衬底层、氮化镓纳米线层和水凝胶电解质层，氮化镓纳米线层位于柔性导电衬底层上，水凝胶电解质层覆盖所述氮化镓纳米线层。GaN纳米线相比于传统的薄膜结构，更有利于释放外延应力，减少缺陷和位错，提高晶体质量，使用水凝胶作为固态电解质，使传感器的安全和可穿戴性能得到进一步提升，无需外部电源，通过受压造成的内应力造成形变提供能量，即压电自驱动，实现节能环保的功能。
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公开(公告)号：CN113451108A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010213156.3
申请日：2020-03-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法，该方法包括：提供一外延衬底；在外延衬底上生长牺牲层；在牺牲层上层叠生长至少一层Al1‑nGanN外延层，其中，0＜n≤1；在Al1‑nGanN外延层上生长含有GaN材料的纳米柱阵列；刻蚀牺牲层，以将牺牲层上的外延结构整体剥离；将剥离后的外延结构转移至柔性透明衬底的表面。相对于传统的平面薄膜，本发明不仅可以通过释放应力提高晶体质量，也能通过纳米柱材料自身的特点提高柔性和透明度。另外，外延结构所需的缓冲层和牺牲层的总厚度可以很小，而且外延生长过程中无需额外的催化剂，有利于降低外延成本和工艺难度。本发明实用性强，可为隐形半导体器件和超柔性器件提供技术支持。
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公开(公告)号：CN111834489B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910302110.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/107 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法，所述的制备方法包括：S1、提供Si衬底；S2、在所述Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、第一Al1‑mGamN纳米柱、第二Al1‑xGaxN纳米柱、以及第三Al1‑zGazN纳米柱，其中，0≤m≤1，0≤x＜0.8，0≤z＜0.8；根据实际需要，还可以在所述S2步骤之后依次叠层生长第四Al1‑aGaaN纳米柱和第五AlN纳米柱，其中，0≤a＜0.8。本发明提供的雪崩二极管的制备方法，一方面利用AlN纳米柱显著减弱浅紫外光的干扰，提高晶体质量，从而能够提高探测器的准确性与灵敏度；另一方面硅衬底能够简化器件的制作工艺流程，易于后期的集成加工，十分有利于降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113782646B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010517504.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 江西省纳米技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118919581A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310509550.5
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物基纳米线柔性光电电化学探测器及其制备方法。其中，柔性光电电化学探测器包括：柔性导电衬底，包括柔性基底和形成在柔性基底上的导电层；III族氮化物基纳米线，连接在导电层上；绝缘材料层，覆设于柔性导电衬底上并具有通孔，III族氮化物基纳米线被包围在通孔中并从绝缘材料层的表面上暴露出；准固态电解质层，覆设于绝缘材料层上并填充通孔以包覆III族氮化物基纳米线；对电极层，连接在准固态电解质层上。本发明中使用III族氮化物基纳米线作为光电电化学探测器的工作电极，提高了探测器的稳定性，进一步地，基于III族氮化物基纳米线的工作电极并结合准固态电解质，可以减小器件的体积而适于进行器件的高度集成。
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公开(公告)号：CN118251117A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211657304.6
申请日：2022-12-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种柔性类脑芯片及其制备方法。柔性类脑芯片包括叠层设置的柔性衬底、底电极层、忆阻结构层和顶电极层，所述忆阻结构层包括叠层设置的第一外延层、发光层和第二外延层，所述第一外延层位于所述底电极层上，所述顶电极层位于所述第二外延层上，所述发光层的材料为氮化铟镓，所述第一外延层和所述第二外延层之一的材料为n型掺杂半导体材料且另一的材料为p型掺杂半导体材料。在该柔性类脑芯片中，由两层外延层和一层发光层构成忆阻结构层，可以实现感受外部信号实现忆阻功能，也可以在电压下发光实现光源刺激功能，实现了柔性类脑芯片的复合功能。
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公开(公告)号：CN116898448A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310860026.2
申请日：2023-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种柔性脑机接口复合器件及其制备方法。该柔性脑机接口复合器件包括叠层设置的柔性衬底、底电极层、功能薄膜层和顶电极层；所述功能薄膜层包括从所述底电极层到所述顶电极层的方向叠层设置的第一外延层、发光层和第二外延层；其中，所述第一外延层和所述第二外延层的其中之一为n型掺杂半导体材料，另一个为p型掺杂半导体材料；所述发光层的材料为氮化铟镓。本发明将收集脑电信号、发出光刺激信号以及器件供能等多种功能复合于同一器件结构中，可以减小脑机接口器件的体积和提高集成度。
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公开(公告)号：CN111834489A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910302110.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/107 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法，所述的制备方法包括：S1、提供Si衬底；S2、在所述Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、第一Al1-mGamN纳米柱、第二Al1-xGaxN纳米柱、以及第三Al1-zGazN纳米柱，其中，0≤m≤1，0≤x＜0.8，0≤z＜0.8；根据实际需要，还可以在所述S2步骤之后依次叠层生长第四Al1-aGaaN纳米柱和第五AlN纳米柱，其中，0≤a＜0.8。本发明提供的雪崩二极管的制备方法，一方面利用AlN纳米柱显著减弱浅紫外光的干扰，提高晶体质量，从而能够提高探测器的准确性与灵敏度；另一方面硅衬底能够简化器件的制作工艺流程，易于后期的集成加工，十分有利于降低成本。
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