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公开(公告)号：CN113808911A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553969.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN113782646A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010517504.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN111276555A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911065409.0
申请日：2019-11-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法，所述结构优化方法包括：根据雪崩探测器的实际结构和类型建立起相应仿真模型，并将所述雪崩探测器的实际性能与仿真模型的仿真实验结果进行拟合，之后依据拟合结果优化该雪崩探测器的倍增层掺杂浓度、电荷层掺杂浓度和电荷层厚度等，最终得到优化后的器件结构。本发明提供的方法能够通过模拟计算优化器件的外延结构，从而有效地控制雪崩光电二极管器件内部电场分布情况，进而实现对器件贯穿电压、击穿电压等特性的有效控制，从而提高器件性能并满足实际需求，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN111276550A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911094127.3
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯透明电极的柔性太阳能电池及其制作方法。所述具有石墨烯透明电极的柔性太阳能电池包括砷化镓太阳能电池外延结构以及分别设置在所述砷化镓太阳能电池外延结构第一面、第二面的第一电极、第二电极，其中，所述第一电极为包含石墨烯层的全透明电极，以及，砷化镓太阳能电池外延结构与石墨烯层之间还设置有高掺杂的砷化镓接触层，石墨烯层经所述砷化镓接触层与所述砷化镓太阳能电池外延结构形成欧姆接触。本发明利用石墨烯层作为砷化镓太阳能电池的第一电极，该第一电极可以有效地提高电极收集电流的能力，减小串联电阻，可以降低遮光损失，有利于砷化镓太阳能电池获得更高的开路电压、短路电流以及光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119935359A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510042905.3
申请日：2025-01-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请提供了一种自驱动可穿戴压力传感器及其制造方法。自驱动可穿戴压力传感器包括柔性导电衬底层、氮化镓纳米线层和水凝胶电解质层，氮化镓纳米线层位于柔性导电衬底层上，水凝胶电解质层覆盖所述氮化镓纳米线层。GaN纳米线相比于传统的薄膜结构，更有利于释放外延应力，减少缺陷和位错，提高晶体质量，使用水凝胶作为固态电解质，使传感器的安全和可穿戴性能得到进一步提升，无需外部电源，通过受压造成的内应力造成形变提供能量，即压电自驱动，实现节能环保的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119651343A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411830981.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种边发射半导体激光器及其制作方法，边发射半导体激光器包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延结构形成于衬底的第一表面上，外延结构背离衬底的一侧被构造成脊型结构，脊型结构包括在第一方向上呈周期性排布且具有预设几何形状的若干脊型单元，脊型单元的每个侧面均平行于形成脊型结构的半导体材料的晶面，若干脊型单元交叠排布或相切排布或间隔排布；钝化层形成于外延结构背离衬底的表面，钝化层上于脊型结构的顶部设有窗口区域；第一电极至少形成于窗口区域且与外延结构电连接；第二电极形成于衬底的第二表面上。本发明的边发射半导体激光器及其制作方法，其能够实现自身耦合与定向发射。
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公开(公告)号：CN114725778B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210375524.3
申请日：2022-04-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子点激光器的制作方法，包括：MOCVD设备中，在衬底上依次生长n型限制层和n型波导层，获得初步样品；将初步样品转移至MBE设备中，然后在n型波导层上依次生长量子点有源区、p型波导层、电子限制层、p型限制层和p型接触层。本发明结合了MOCVD工艺成本低、生长速率高和MBE工艺在低维材料生长好，p‑GaN上制备的优势，制备出的氮化镓基量子点激光器具有高温稳定性，低阈值电流密度等特性。
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公开(公告)号：CN116169212A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211626310.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种芯片制备方法及芯片结构，该方法包括：提供衬底；在衬底上生长蓝光外延结构；选择性刻蚀蓝光外延结构，以形成第一槽结构；在第一槽结构内生长绿光外延结构；选择性刻蚀蓝光外延结构，以形成第二槽结构；在第二槽结构内生长红光外延结构；在所述蓝光外延结构、绿光外延结构和红光外延结构上生长第二半导体层。本发明的芯片制备方法，在材料外延阶段将RGB三色集成在了同一单晶片上，无需进行转移，极大的降低了成本，提高了良品率以及制备效率。
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公开(公告)号：CN115692536A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211327506.4
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 提供了一种光电探测器，其包括：芯片部和基板部，所述芯片部和所述基板部键合组装在一起，以使所述芯片部的组件一侧面对所述基板部的组件一侧，所述芯片部的背向所述基板部的一侧为入光侧，所述芯片部的芯片电极位于所述芯片部的吸收层和所述基板部之间。还提供了一种该光电探测器的制作方法。本发明的光电探测器及其制作方法，将芯片部作为光入射一侧，从而入射的光直接照射到吸收层上，增大了吸收层的吸光面积，进而提高了光电探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN114883448A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210515102.1
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种基于太阳能电池外延片的批量腐蚀装置及方法，所述批量腐蚀装置包括机械结构及冷却结构，所述机械结构包括支撑架、安装于支撑架上的连接杆、安装于连接杆下端的花篮、位于支撑架下方的腐蚀箱、用于驱动花篮升降的第一电机、用于驱动花篮在腐蚀箱内旋转的第二电机、及用于控制第一电机和第二电机的控制器，所述花篮内安装有多片太阳能电池外延片，所述腐蚀箱用于盛放腐蚀液，所述冷却结构用于控制太阳能电池外延片在腐蚀液中的腐蚀温度在预设温度范围内。本发明通过冷却结构能够控制多片腐蚀过程中的腐蚀温度，避免键合界面的破坏及电池外延片的损伤，提高了产品良率。
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