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公开(公告)号：CN119581995A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411580746.4
申请日：2024-11-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种回音壁模式微腔激光器及其制备方法，该激光器从下至上依次包括GaN衬底、场氧隔离层、空穴传输层、绝缘层以及透明导电层，在GaN衬底的上表面设置有回音壁模式微腔，在透明导电层的上表面和GaN衬底上表面还分别设置有第一电极和第二电极。本发明采用第一电极及透明导电层‑绝缘层‑GaN衬底这样的MIS结构，制备工艺及结构简单，空穴传输层能够提高器件工作时的少子空穴注入量，从而显著降低器件的开启电压；并且本发明还能实现激射功能。
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公开(公告)号：CN119518421A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510081285.4
申请日：2025-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法。本发明利用室温干法与湿法结合的刻蚀方法制备出多个二维排列的脊图案阵列，每一个脊图案阵列具有多个不同的脊，每一个具有设定的宽度和形状的脊对应一个激射波长，多个不同的脊分别对应多个不同的激射波长；由有效折射率设计脊图案阵列，脊的宽度和形状影响有效折射率，对横向光学模场和载流子有限制作用，从而影响原子级超薄量子阱发光层的带隙，进而调节激射波长，以实现单晶圆衬底上波长可调谐的AlGaN基激光二极管；本发明能够实现较短的激射波长的精细调控，方法简单易控制，显著降低了生产时间和生长成本，在激射波长可调控的激光二极管领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN115051239B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210670789.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，按照预设顺序均包括第一下波导层、第一有源层和第一上波导层，第一下波导层形成于衬底上；第一调制器区和第二调制器区，按照预设顺序均包括第二下波导层、第二有源层和第二上波导层，第二下波导层形成于衬底上；第一前光栅区、第二前光栅区、后光栅区、第一相位区和第二相位区，均包括无源层，无源层形成于衬底上，第一前光栅区、第二前光栅区和后光栅区在无源层上形成有光栅结构，光栅结构包括取样光栅。
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公开(公告)号：CN119496043A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311043637.4
申请日：2023-08-18
Applicant: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种光模块，包括含有激光器组件的光源，激光器组件包括组成谐振腔的半导体增益芯片与波长调谐芯片，波长调谐芯片包括至少一个微环滤波器，至少一个微环滤波器用于从半导体增益芯片发射的光束中筛选出特定波长的光束，微环滤波器包括硅衬底、设于硅衬底上的覆盖层、位于覆盖层内的硅波导脊区、位于硅波导脊区两侧的第一与第二平板区及接触电极，第一平板区内设有N型掺杂区，第二平板区内设有P型掺杂区，P型掺杂区与N型掺杂区形成与接触电极电连接的PN结，对PN结施加反向偏压可以吸收硅波导脊区、第一与第二平板区内的电子空穴对。本公开在硅波导脊区两侧增设PN结，解决了谐振腔的非线性效应问题，消除了波长振荡现象。
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公开(公告)号：CN119481946A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510074058.9
申请日：2025-01-17
Applicant: 泉州师范学院
Abstract: 本发明公开了一种基于DML‑SOA激光器芯片的可调谐光电振荡器，属于半导体工艺技术领域。包括自反馈激光器，自反馈激光器将DML‑SOA激光器与光隔离器封装在一个蝶形管壳中依次与光时延线和光电探测器通过光路连接，光电探测器与电放大器通过电路连接，电放大器通过电路与电耦合器连接，电耦合器其中的一路与Bias‑T通过电路连接，电耦合器的另一路作为微波信号输出，直流电源同时连接Bias‑T和自反馈激光器。本发明具有结构紧凑、高信噪比和低相位噪声的特点，只需通过简单的电注入调谐即可实现频率间隔可调谐的P‑1震荡现象，在光电集成和微波信号生成领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119381887A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411466813.X
申请日：2024-10-21
Applicant: 深圳技术大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，尤其涉及一种拓扑光子晶体纳米梁腔电驱动激光器及其制作方法，包括SOI波导结构，SOI波导结构上方设置有InP异质结构，InP异质结构上设置有纳米梁腔，InP异质结构电性连接有通电结构，InP异质结构与SOI波导结构的外侧包覆有SiO2钝化层，通电结构穿出SiO2钝化层；纳米梁腔至少包括开设在InP异质结构上多个周期的PC1与多个周期的PC2，多个PC1与多个PC2均顺序设置，PC1与PC2的Zak相位不同。本发明的激光器对缺陷不敏感，具有更大品质因子Q和更小的模式体积V，可实现更低阈值、更高调制速率。
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公开(公告)号：CN119343843A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380040095.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 芝加哥大学 , 小利兰·斯坦福大学理事会
Abstract: 光学腔阵列包括形成光学腔的多个镜子、位于光学腔内的第一透镜系统以及位于光学腔内的第二透镜系统。第一透镜系统具有面向多个镜子中的第一镜子的第一输出和面向多个镜中的第二镜子的第二输出。第二透镜系统具有面向第一输入的第二输入和面向第二镜子的第二输出。第一透镜系统和第二透镜系统被配置为使得光学腔支持横向非简并的纵向模式，形成沿着轴向地位于第一输入和第二输入之间的焦平面的空间分离的腰。当纵向模式被激发时，腰可以被用作光偶极阱的阵列。
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公开(公告)号：CN119297737A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411293623.2
申请日：2024-09-14
Applicant: 武汉敏芯半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法，主要通过在脊波导结构上形成离子注入区，继而使电流不通过该区域只有光通过该区域，以此来提高产品的可靠性。本发明的主要技术方案为：一种半导体激光器芯片，包括：芯片主体，芯片主体包括脊波导结构，脊波导结构上注入离子而形成离子注入区。本发明主要用于产生激光。
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公开(公告)号：CN113839303B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202111217255.X
申请日：2021-10-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/10 , H01S5/062 , H01S5/06 , H01S5/02251 , G02F1/35
Abstract: 本发明实施例公开了一种三次谐波产生系统及方法。包括波长可调光源、偏振控制器、光纤以及光学微腔；波长可调光源提供泵浦光，泵浦光耦合入光纤；光纤从偏振控制器的输出端延伸至光学微腔，延伸至光学微腔的光纤通过锥状结构与光学微腔耦合；光学微腔包括衬底和支撑柱和微盘腔；泵浦光通过锥状结构耦合入光学微腔；偏振控制器调节光纤中泵浦光的偏振态；调节泵浦光的波长、功率、偏振态以及锥状结构与光学微腔的距离，使泵浦光在光学微腔中传输时满足三次谐波的相位匹配条件，产生三次谐波。本发明实施例的技术方案，通过干法刻蚀获取高品质因子光学微盘后，利用连续光直接泵浦光学微盘以产生三次谐波，简化了产生三次谐波的复杂过程。
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公开(公告)号：CN119209196A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411738063.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 苏州鼎芯光电科技有限公司
Inventor： 杜方岭
Abstract: 本发明公开了一种集成隔热垫的快速加热波长可调激光芯片及制备方法，其包括外延结构、钝化层、P面金属以及N面金属，所述外延结构自下而上依次包括衬底层、下限制层、有源层以及上限制层；所述有源层沿腔长方向被设定为无源区与有源区，所述上限制层内设置有光栅结构，所述光栅结构对应于所述无源区设置且避开所述有源区；所述下限制层中对应于所述无源区的部分被牺牲掉形成有空腔，所述空腔内生长填充有隔热材料形成阻热垫层；所述外延结构的正面形成有脊波导。本发明提高芯片的加热效率，且能够实现加热温度的精准可调，芯片整体结构强度高。
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