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公开(公告)号：CN113808911A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553969.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN114005895B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111247579.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。
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公开(公告)号：CN105280745B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201410247480.1
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有特殊结构形态的石墨烯键合面，石墨烯键合面优异的导电性和透光性使其可有效抑制键合界面电损耗和光损耗，其延展性有助于释放应力。因此制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，获得较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN104979312A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410148441.6
申请日：2014-04-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L23/482 , H01L31/043 , H01L21/60
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括相键合的第一半导体晶片和第二半导体晶片，其中，所述第一半导体晶片和第二半导体晶片之间设有结构层，所述结构层上分布有多个纳米孔。本发明还公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括前述的半导体结构，所述半导体器件为激光器、探测器或太阳能电池。本发明还公开了如前所述的半导体结构的制备方法。本发明通过在键合界面中设置有纳米孔阵列结构层，从而抑制了键合界面光损耗和电损耗，并提高了键合强度。
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公开(公告)号：CN111816711A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010877959.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/96 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110653375A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810700931.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种层状复合材料，包括合金钢层和镍铜合金层，所述合金钢层和所述镍铜合金层通过压制和烧结工艺冶金结合，所述合金钢层背离所述镍铜合金层的一侧表面通过渗硼工艺形成渗硼钢层。本发明还公开了如上所述的层状复合材料的制备方法及其在锅具中的应用。本发明提供的层状复合材料解决了现有复合材料中存在的抗氧性差、脆性大、硬度不高、结合力差等问题。
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公开(公告)号：CN104979312B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201410148441.6
申请日：2014-04-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L23/482 , H01L31/043 , H01L21/60
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括相键合的第一半导体晶片和第二半导体晶片，其中，所述第一半导体晶片和第二半导体晶片之间设有结构层，所述结构层上分布有多个纳米孔。本发明还公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括前述的半导体结构，所述半导体器件为激光器、探测器或太阳能电池。本发明还公开了如前所述的半导体结构的制备方法。本发明通过在键合界面中设置有纳米孔阵列结构层，从而抑制了键合界面光损耗和电损耗，并提高了键合强度。
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公开(公告)号：CN104716153B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201310676003.2
申请日：2013-12-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法，所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4 ev，在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内，所述全光单片集成器件可以吸收利用与其带隙近似的不同能量光谱，分别为蓝光、黄光、红光，从而实现全光范围。
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公开(公告)号：CN104418318B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310398409.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置，包括：加热室，具有一加热腔，所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔；位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜，所述的基板开设有第一通孔，所述的催化剂薄膜包括连通于所述第一通孔的第二通孔；加热装置，对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位于其下方的催化剂薄膜的多孔是连通的，反应气体由多孔基板上部通入，经由基板的多孔可以连续流入催化剂薄膜的多孔中，保证了碳纳米管可以不断连续生长。更优地，在改进后的装置中碳纳米管的生长方向变为垂直向下生长，在重力的作用下，生长速度较垂直向上生长时增大，从而达到了连续快速生长的技术效果。
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公开(公告)号：CN104418317B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310398408.4
申请日：2013-09-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置，包括：加热室，具有一加热腔，所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔；位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜，所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面；加热装置，对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位于其下方的催化剂薄膜的多孔是连通的，反应气体由多孔基板上部通入，经由基板的多孔可以连续流入催化剂薄膜的多孔中，保证了碳纳米管可以不断连续生长。更优地，在改进后的装置中碳纳米管的生长方向变为垂直向下生长，在重力的作用下，生长速度较垂直向上生长时增大，从而达到了连续快速生长的技术效果。
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