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公开(公告)号：CN117317800A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311358767.7
申请日：2023-10-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种P型GaN欧姆接触结构的制备方法、P型GaN欧姆接触结构及应用。通过在P型GaN表面生长或沉积一层薄的高纯的Mg层来制备P型GaN欧姆接触结构，之后对样品进行退火酸洗处理，并沉积金属电极，能够显著防止GaN的氧化，降低P型GaN掺杂浓度，并且利用金半接触界面处的隧穿效应降低势垒，降低接触电阻，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114914332A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210495179.7
申请日：2022-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种半导体外延结构及其制备方法、半导体光电器件，所述半导体外延结构包括衬底及位于衬底上的有源区结构，所述有源区结构从下向上依次包括数字合金量子阱层、第一势垒层、量子点层及第二势垒层，所述数字合金量子阱层为(AlN)m/(GaN)n超晶格结构、或(GaN)m/(InN)n超晶格结构、或(AlN)m/(InN)n超晶格结构，其中，m+n＝6。本发明中通过引入(AlN)m/(GaN)n超晶格结构、或(GaN)m/(InN)n超晶格结构、或(AlN)m/(InN)n超晶格结构作为数字合金量子阱层，并结合量子点层作为复合有源区结构，可以使正向的TE模偏振光成为发光模式的主导，提高了LEE并降低了器件发热；量子点结构具有很强的强局域态效应，能够有效束缚载流子，增加其辐射复合系数，从而提高发光性能和发光效率。
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公开(公告)号：CN114005895A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111247579.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117174741A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311374988.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/15 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于异质衬底的GaN外延薄膜结构及其生长方法，通过在大尺寸衬底与GaN外延层之间设置多种超晶格缓冲结构，能大幅改善GaN外延薄膜的翘曲，提升产品良率，进而提升产品性能。
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公开(公告)号：CN116454146A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310209697.2
申请日：2023-03-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/054 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种自聚光长波失配InGaAs电池及其制备方法。所述自聚光长波失配InGaAs电池包括外延结构以及与所述外延结构匹配的第一电极、第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的InP衬底、InAsxP缓冲层和InGaAs外延层，所述InAsxP缓冲层的As组分含量沿选定方向渐变，所述InP衬底和InGaAs外延层之间的应力弛豫在InAsxP缓冲层内，其中，0＜x＜1。本发明提供的一种自聚光长波失配InGaAs电池，提高了外延层的质量，并且提高了电池的光电效率以及可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115020557A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210672225.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种自组装InGaN量子点及其制备方法，所述制备方法包括：S1、基于分子束外延工艺，持续通入In源、Ga源及N源，在衬底上外延生长InGaN浸润层；S2、基于分子束外延工艺，持续通入In源及Ga源，周期性通入和/或中断N源，在InGaN浸润层上进行InGaN量子点的成核及生长。本发明采用两步生长法实现InGaN量子点的自组装生长，相对于S‑K模式直接生长或中断生长法，本发明对InGaN量子点生长动力学过程有更强的调控能力，一方面有利于促进In原子并入，拓展发光波长，另一方面可以改善量子点的微观形貌，提高其密度，以及尺寸和分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN114005895B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111247579.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。
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公开(公告)号：CN117134190A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311342840.1
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种P型GaN欧姆接触结构的制备方法、P型GaN欧姆接触结构及应用。通过外延层的生长结合碳离子注入以调控并优化Mg掺杂的P型GaN欧姆接触性能。具体来说就是，先外延生长Mg掺杂的P型GaN，生长后通过离子注入的方式对Mg掺杂的P型GaN层注入一定浓度的碳离子并精准调控碳浓度，降低比接触电阻率，后进行退火并沉积金属电极。该方式使碳离子作为一种合适浓度的深能级缺陷辅助载流子进行变程跃迁，降低比接触电阻率，提高P型GaN欧姆接触性能。
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