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公开(公告)号：CN105470317B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410464974.5
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底GaAs薄膜电池，该电池包括柔性衬底以及依次形成于所述柔性衬底上的第一电极、GaAs薄膜电池和第二电极，所述第一电极包括依次形成于所述柔性衬底上的Au金属层和ITO金属层。本发明还公开了如上所述电池的制备方法。本发明实施例提供的柔性衬底GaAs薄膜电池的制备方法中，采用倒置外延生长工艺，并通过键合工艺将GaAs薄膜电池连接到柔性衬底上，避免了外延结构层薄膜与柔性衬底粘合时造成外延层的损伤与断裂。
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公开(公告)号：CN106033785A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510109088.5
申请日：2015-03-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池；D、在GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节第二过渡层Ga1-xInxP中铟的含量使其晶格常数与GaAs底电池的晶格常数相匹配。该制备方法以GaP/Ga1-xInxP为过渡层，通过控制铟源流量从而使得第二过渡层Ga1-xInxP的晶格常数过渡至GaAs底电池的晶格常数，使之晶格常数相匹配，从而达到生长制备GaInP/GaAs双结太阳能电池的目的。
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公开(公告)号：CN105845741A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510014328.3
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/87 , H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种基于InGaAs/AlAs的共振隧穿二极管，在复合集电区采用In0.53AlxGa0.47-xAs/InP复合集电结构，可以降低电子在二极管内部的渡越时间，提高工作速度；采用应变InxGa1-xAs为势阱材料，In0.53AlyGa0.47-yAs做发射层，可以降低起始电压和峰值电压；分别在发射层和第一势垒层，复合集电区和第二势垒层之间沉积未掺杂InAlGaAs和InGaAs层，形成隔离区，可以阻止重掺杂区的杂质向DBS区扩散。本发明得到极高频率和工作速度的共振隧穿二极管，可以更有效地应用于高速数字电路和高频振荡波器件、组装高质量的显示器等技术领域。
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公开(公告)号：CN110224191A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810176483.9
申请日：2018-03-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01M10/46 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种复合型充电电池，包括柔性太阳能电池、固态柔性电池、柔性导电衬底和电池电路管理器，所述柔性太阳能电池设置于所述柔性导电衬底表面上，所述固态柔性电池设置于所述柔性导电衬底的背向所述柔性太阳能电池的另一表面上；所述柔性太阳能电池的第一正极电连接于所述柔性导电衬底，所述柔性太阳能电池的第一负极电连接于所述电池电路管理器，所述固态柔性电池的第二正极电连接于所述柔性导电衬底，所述固态柔性电池的第二正极电连接于所述电池电路管理器；所述电池电路管理器上设有用于连接外接负载的外接负载端。本发明提供的复合型充电电池结构超薄，具有良好的柔软性，且具有长久的续航能力。
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公开(公告)号：CN106571408B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510670555.1
申请日：2015-10-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种五结太阳能电池，包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法，包括：在InP衬底上制备InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池；在GaAs衬底上制备GaInP/AlGaInP双结太阳能电池；将InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池与GaInP/AlGaInP双结太阳能电池进行晶片键合，从而得到InGaAs/InGaAsP/InAlAs/GaInP/AlGaInP五结太阳能电池。根据本发明的五结太阳能电池满足0.73eV/1.05eV/1.47eV/1.89eV/2.2eV的带隙组合，从而可实现宽光谱的吸收，获得高电压及低电流输出，有效降低了太阳能电池在高倍聚光下的电阻损失，从而提高了太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106374001B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510426718.1
申请日：2015-07-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18 , H01L31/052
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次叠层设置于廉价衬底上的底电极、AlInP背散射层、GaInP背场层、p‑GaAs基层、n‑GaAs发射层、GaInP窗口层、GaAs接触层以及顶电极；其中，所述AlInP背散射层朝向所述底电极的一侧具有多个凸起的锥形结构。本发明还公开了如上所述GaAs薄膜太阳电池的制备方法。通过设置锥形背散射层以提高GaAs薄膜太阳电池的光电转换效率，采用廉价衬底，降低了电池的成本。
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公开(公告)号：CN105099365B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410205739.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的测试设备，包括：可控温承载台，用于承载待测试的太阳能电池，并将待测试的太阳能电池的温度保持在一预定温度；电子束发射装置，位于可加热承载台的上方，用于发射电子束对待测试的太阳能电池的表面进行扫描；光电转换装置，设置于可加热承载台与电子束发射装置之间，用于采集待测试的太阳能电池的表面经过所述电子束激发后产生的光信号，并将采集的光信号转换为电信号；计算处理装置，用于接收光电转换装置产生的电信号，并对接收到的电信号进行计算处理，获得待测试的太阳能电池的扩散长度。本发明的太阳能电池的测试设备，其结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN105845743A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510014327.9
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/88
Abstract: 本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种基于InGaAs/AlAs的共振隧穿二极管，在InP衬底层上制作具有不同In组分的InGaAs形成分级发射层结构。可以降低电子在二极管内部的渡越时间，提高工作速度；采用应变InxGa1-xAs(其中x＝0.8)为势阱材料，可以降低起始电压和峰值电压；分别在发射层和第一势垒层，收集区和第二势垒层之间沉积未掺杂InGaAs层，形成隔离区，可以阻止重掺杂区的杂质向DBS区扩散。本发明在室温下能观察到明显的微分负阻现象，得到极高频率和工作速度的共振隧穿二极管，可以更有效地应用于高速数字电路和高频振荡波器件、组装高质量的显示器等技术领域。
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公开(公告)号：CN105099365A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410205739.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的测试设备，包括：可控温承载台，用于承载待测试的太阳能电池，并将待测试的太阳能电池的温度保持在一预定温度；电子束发射装置，位于可加热承载台的上方，用于发射电子束对待测试的太阳能电池的表面进行扫描；光电转换装置，设置于可加热承载台与电子束发射装置之间，用于采集待测试的太阳能电池的表面经过所述电子束激发后产生的光信号，并将采集的光信号转换为电信号；计算处理装置，用于接收光电转换装置产生的电信号，并对接收到的电信号进行计算处理，获得待测试的太阳能电池的扩散长度。本发明的太阳能电池的测试设备，其结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN107887263B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201610871439.0
申请日：2016-09-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/225 , H01L21/67 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于锌扩散的装置及其锌扩散方法。所述方法包括：将外延片和锌扩散源放置于反应腔内，锌扩散源距离外延片的边缘预定距离；通入载气，并将反应腔的工作压强调节至预定压强；将反应腔的温度加热到第一设定温度并保持第一设定时间，以对外延片和锌扩散源进行预热；将反应腔的温度加热到第二设定温度并保持第二设定时间；将反应腔的温度降低至第三设定温度并保持第三设定时间；继续对反应腔进行降温，以使反应腔的温度降到预定温度以下，从而完成锌扩散。本发明操作简单，成本低廉，制备得到的成品表面损伤少，结深易控制，适合大批量连续生产。
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