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公开(公告)号：CN106571408A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510670555.1
申请日：2015-10-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , H01L31/0687 , H01L31/03046 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种五结太阳能电池，包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法，包括：在InP衬底上制备InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池；在GaAs衬底上制备GaInP/AlGaInP双结太阳能电池；将InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池与GaInP/AlGaInP双结太阳能电池进行晶片键合，从而得到InGaAs/InGaAsP/InAlAs/GaInP/AlGaInP五结太阳能电池。根据本发明的五结太阳能电池满足0.73eV/1.05eV/1.47eV/1.89eV/2.2eV的带隙组合，从而可实现宽光谱的吸收，获得高电压及低电流输出，有效降低了太阳能电池在高倍聚光下的电阻损失，从而提高了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105742400A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410747527.0
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/111 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种双色探测器的制备方法，包括：S1、在InP衬底上依次倒置生长p-InP帽层、PIN型InGaAsP层、PIN-IP型InGaAs层和p+InP型键合层形成探测器外延层；S2、在n型GaAs衬底上依次生长GaAs/AlGaAs层和n+GaAs键合层形成分布式布拉格反射器外延层；S3、将探测器外延层与分布式布拉格反射器外延层进行键合；S4、剥离InP衬底；S5、台面刻蚀以及电极制作形成探测器，并在探测器表面制备TiO2/SiO2增透膜。本发明还提供了一种双色探测器。
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公开(公告)号：CN105470317B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410464974.5
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底GaAs薄膜电池，该电池包括柔性衬底以及依次形成于所述柔性衬底上的第一电极、GaAs薄膜电池和第二电极，所述第一电极包括依次形成于所述柔性衬底上的Au金属层和ITO金属层。本发明还公开了如上所述电池的制备方法。本发明实施例提供的柔性衬底GaAs薄膜电池的制备方法中，采用倒置外延生长工艺，并通过键合工艺将GaAs薄膜电池连接到柔性衬底上，避免了外延结构层薄膜与柔性衬底粘合时造成外延层的损伤与断裂。
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公开(公告)号：CN106033785A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510109088.5
申请日：2015-03-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池；D、在GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节第二过渡层Ga1-xInxP中铟的含量使其晶格常数与GaAs底电池的晶格常数相匹配。该制备方法以GaP/Ga1-xInxP为过渡层，通过控制铟源流量从而使得第二过渡层Ga1-xInxP的晶格常数过渡至GaAs底电池的晶格常数，使之晶格常数相匹配，从而达到生长制备GaInP/GaAs双结太阳能电池的目的。
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公开(公告)号：CN102184999A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110083015.5
申请日：2011-04-02
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为：以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体，其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低，输出电压高，光吸收及转换效率高，可作为高效激光光伏电池广泛应用，且其制备工艺简便，可有效节省器件加工时间和降低成本，满足规模化生产的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106571408B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510670555.1
申请日：2015-10-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种五结太阳能电池，包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法，包括：在InP衬底上制备InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池；在GaAs衬底上制备GaInP/AlGaInP双结太阳能电池；将InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池与GaInP/AlGaInP双结太阳能电池进行晶片键合，从而得到InGaAs/InGaAsP/InAlAs/GaInP/AlGaInP五结太阳能电池。根据本发明的五结太阳能电池满足0.73eV/1.05eV/1.47eV/1.89eV/2.2eV的带隙组合，从而可实现宽光谱的吸收，获得高电压及低电流输出，有效降低了太阳能电池在高倍聚光下的电阻损失，从而提高了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105099365B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410205739.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的测试设备，包括：可控温承载台，用于承载待测试的太阳能电池，并将待测试的太阳能电池的温度保持在一预定温度；电子束发射装置，位于可加热承载台的上方，用于发射电子束对待测试的太阳能电池的表面进行扫描；光电转换装置，设置于可加热承载台与电子束发射装置之间，用于采集待测试的太阳能电池的表面经过所述电子束激发后产生的光信号，并将采集的光信号转换为电信号；计算处理装置，用于接收光电转换装置产生的电信号，并对接收到的电信号进行计算处理，获得待测试的太阳能电池的扩散长度。本发明的太阳能电池的测试设备，其结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN105099365A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410205739.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的测试设备，包括：可控温承载台，用于承载待测试的太阳能电池，并将待测试的太阳能电池的温度保持在一预定温度；电子束发射装置，位于可加热承载台的上方，用于发射电子束对待测试的太阳能电池的表面进行扫描；光电转换装置，设置于可加热承载台与电子束发射装置之间，用于采集待测试的太阳能电池的表面经过所述电子束激发后产生的光信号，并将采集的光信号转换为电信号；计算处理装置，用于接收光电转换装置产生的电信号，并对接收到的电信号进行计算处理，获得待测试的太阳能电池的扩散长度。本发明的太阳能电池的测试设备，其结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN105470317A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410464974.5
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底GaAs薄膜电池，该电池包括柔性衬底以及依次形成于所述柔性衬底上的第一电极、GaAs薄膜电池和第二电极，所述第一电极包括依次形成于所述柔性衬底上的Au金属层和ITO金属层。本发明还公开了如上所述电池的制备方法。本发明实施例提供的柔性衬底GaAs薄膜电池的制备方法中，采用倒置外延生长工艺，并通过键合工艺将GaAs薄膜电池连接到柔性衬底上，避免了外延结构层薄膜与柔性衬底粘合时造成外延层的损伤与断裂。
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公开(公告)号：CN102790098B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210250372.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/056 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。本发明还提供一种背反射式太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层及电池薄膜；3）从牺牲层处将GaAs衬底和牺牲层剥离，直至显露出电池薄膜表面；4）在电池薄膜表面制备背电极；5）提供一具有反射介质膜的基底；6）将所述反射介质膜表面转移至背电极表面。
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