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公开(公告)号：CN112038425A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910476086.8
申请日：2019-06-03
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0725
摘要： 本发明公开了一种多结叠层激光光伏电池，其包括电池单元层叠体以及分别与电池单元层叠体底部、顶部电连接的下、上电极，所述电池单元层叠体包括层叠设置的6个以上PN结子电池，相邻两个所述的子电池之间经隧穿结串联。其中每个PN结子电池采用一种带隙的半导体单晶材料作吸收层，多个子电池中至少具有2种不同带隙，各子电池的带隙从所述光伏电池的光入射侧到另一侧按依次减小的顺序排列。与现有技术相比，本发明提供的多结叠层激光光伏电池因采用了多带隙材料作为吸收层，不仅可以使得多结叠层电池的制作更易于实现(尤其对于是超多结叠层光伏电池效果更为显著)，又能大幅减小电池的总厚度、降低制造成本。
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公开(公告)号：CN104779313B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410016801.7
申请日：2014-01-15
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供的一种四结级联的太阳能电池，包括依次设置的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池以及InGaAs子电池，其中，所述GaAs子电池和InGaAlAs子电池之间设有一由InxGa1‑x‑yAlyAs材料形成的渐变过渡层，所述渐变过渡层的带隙大于GaAs子电池的带隙。该四结级联的太阳能电池，通过分别具有1.90eV、1.42eV、1.00eV和0.73eV带隙的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池和InGaAs子电池，降低各子电池之间的电流失配，从而减小光电转换过程中的热能损失，提高太阳能电池的转换效率；同时，该太阳能电池通过一次生长并与第二衬底键合的方式形成，不仅降低了太阳能电池的制备难度，同时也降低了该太阳能电池的制备成本。
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公开(公告)号：CN106611934A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510688786.5
申请日：2015-10-21
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供了一种采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。所述面发射激光器的出光端面上分布有石墨烯桥接层，所述石墨烯桥接层连续覆盖出光端面电极、隔离槽和出光端面外接电极，且所述石墨烯桥接层还与出光端面电极以及出光端面外接电极电性接触而共同形成所述激光器的上表面电极。本发明通过采用石墨烯材料作为桥接层，其具有优异柔韧性，不易断裂，能有效避免VCSEL隔离槽上电极金属容易断裂的问题，提高了激光器的稳定性，同时其还具有导电性好、透光性好等优点，能有效减少对器件发光的吸收，进一步提升激光器性能，还可大幅降低器件生产成本。本发明采用的VCSEL制备工艺与传统III‑V族制作工艺兼容，工艺流程简单易于实施。
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公开(公告)号：CN106611805A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510689932.6
申请日：2015-10-22
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/052 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0725 , H01L31/052 , H01L31/18 , H01L31/1844
摘要： 本发明属于光伏器件领域，尤其公开了一种多结GaAs叠层激光光伏电池，包括：衬底、在衬底上依次叠层设置的至少两个GaAs子电池、以及设置于两相邻GaAs子电池之间的遂穿结。所述多结GaAs叠层激光光伏电池利用遂穿结将若干GaAs子电池相串联，无需刻蚀隔离槽，采用引线的方式串联，增大了多结GaAs叠层激光光伏电池的有效受光面积，从而获得了较高的输出电压；同时避免了刻蚀工艺和填充工艺。该多结GaAs叠层激光光伏电池采用导电衬底，可有效改善散热，降低工作温度。本发明还公开了具有上述多结GaAs叠层激光光伏电池的光伏器件及其制备方法。本发明的光伏器件可减小该光伏器件的串联电阻，提高填充因子。
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公开(公告)号：CN103219414B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310151500.0
申请日：2013-04-27
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0304
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池以及在InP层上生长与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，所述InP的厚度为0.5~10μm。本发明提出的四结太阳电池，不但减少InP衬底的消耗，同时还有效解决了生长单片多结级联太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出的四结级联太阳电池，有利于提高对太阳光能量的利用。
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公开(公告)号：CN102651418B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210155004.8
申请日：2012-05-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种三结级联太阳能电池，包括Si子电池，以及在所述Si子电池上依次生长的渐变过渡层、第一隧道结、GaAsP子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAsP接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备方法，包括步骤：(1)、制备Si子电池；(2)、在所述Si子电池上依次生长渐变过渡层、第一隧道结、GaAsP子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAsP接触层。
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公开(公告)号：CN104037252A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310072325.6
申请日：2013-03-07
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/046 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0693 , H01L31/1844
摘要： 本发明公开了一种输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，所述的激光光伏电池包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成7个电池单元，包括1个第一电池单元，以及环绕设于所述第一电池单元四周的6个第二电池单元，电池单元之间串联连接。本发明在电池中间设有一个占电池总面积七分之一的圆形电池，减少常用激光电池中间隔离槽的面积，可大大增加对光斑中央位置高能量密度光的吸收，提高了电池的光电转换效率，可作为高效激光光伏电池广泛应用。
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公开(公告)号：CN104009046A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310060831.3
申请日：2013-02-27
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的负电极、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层。本申请还公开了上述倒装结构的激光电池的制作方法。本申请的激光电池，大大降低了串联电阻，改善了电池的散热性能，从而提高光伏电池的转换效率，剥离掉的第一衬底可重复利用，降低了成本。
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公开(公告)号：CN103368074A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310302799.5
申请日：2013-07-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0；并且，本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料，GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感，基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。
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公开(公告)号：CN103219414A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310151500.0
申请日：2013-04-27
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0304
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池以及在InP层上生长与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，所述InP的厚度为0.5~10μm。本发明提出的四结太阳电池，不但减少InP衬底的消耗，同时还有效解决了生长单片多结级联太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出的四结级联太阳电池，有利于提高对太阳光能量的利用。
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