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公开(公告)号：CN113314398B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110570556.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/201 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/44
Abstract: 提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层上生长形成InP缓冲层；在所述InP缓冲层上生长形成InGaAs薄膜。在本发明中，通过在GaP/Si衬底上外延生长GaP缓冲层、InP/InGaAs超晶格结构缓冲层以及InP缓冲层，可以获得高晶体质量的缓冲层，解决了Si衬底与InGaAs薄膜的晶格匹配问题，有效过滤衬底与InGaAs薄膜之间由于晶格失配引起的位错，较好的释放应力。
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公开(公告)号：CN111668337B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010423477.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种探测器，其包括：探测芯片、温度传感器件、电绝缘层；所述电绝缘层设置于所述探测芯片的正表面上，所述温度传感器件设置于所述电绝缘层的背向所述正表面的表面上。本发明还提供了一种探测器的制作方法以及探测装置。本发明通过将温度传感器件通过片上集成的方式直接集成到探测芯片上，即集成到探测芯片的外表面，从而实现对探测芯片自身的工作温度进行直接和连续地实时监测，同时无需对探测芯片的结构进行改变，进而也就不需要重新设计探测器芯片的制作工艺。
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公开(公告)号：CN116799083A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310162749.5
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明揭示了一种量子阱多结叠层柔性太阳电池及其制备方法，所述太阳电池从下向上依次包括柔性衬底、InGaAs底电池、布拉格反射器、量子阱中间电池及GaInP顶电池，所述量子阱中间电池从下向上依次包括GaInP层、GaAs缓冲层、多个量子阱结构及GaAs发射层，所述量子阱结构为未掺杂的InGaAs/GaAsP量子阱结构。本发明的量子阱多结叠层柔性太阳电池通过改进子电池结构，巧妙利用量子阱和高通布拉格反射器拓展光谱范围，产生子带隙电流，大幅度提升了太阳电池的短路电流密度，从而提升了光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116454146A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310209697.2
申请日：2023-03-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/054 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种自聚光长波失配InGaAs电池及其制备方法。所述自聚光长波失配InGaAs电池包括外延结构以及与所述外延结构匹配的第一电极、第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的InP衬底、InAsxP缓冲层和InGaAs外延层，所述InAsxP缓冲层的As组分含量沿选定方向渐变，所述InP衬底和InGaAs外延层之间的应力弛豫在InAsxP缓冲层内，其中，0＜x＜1。本发明提供的一种自聚光长波失配InGaAs电池，提高了外延层的质量，并且提高了电池的光电效率以及可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113284965A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110528418.X
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明揭示了一种外延结构、外延生长方法及光电器件，所述外延结构由下向上依次包括InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层及InxGa1‑xAs外延层，其中：所述第一缓冲层为InP缓冲层；所述第二缓冲层包括若干由下向上As组分递增的InAsyP1‑y应力调制缓冲层；所述InxGa1‑xAs外延层为高In组分的InxGa1‑xAs外延层。本发明通过生长As组分递增的InAsyP1‑y应力调制缓冲层，能突破InxGa1‑xAs外延层和InP衬底之间的晶格常数限制，释放晶格失配应力，降低外延层表面粗糙度，获得高质量的高In组分InGaAs外延层，从而提高光电器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113097057A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110351699.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L31/0304
Abstract: 本发明揭示了一种外延生长方法、外延结构及光电器件，所述方法包括：S1、对硅衬底表面进行处理；S2、采用迁移增强外延法，在380～510℃低温条件下交替通入/关断ⅢA族源和ⅤA族源，在硅衬底上外延生长III‑V族化合物形核层。本发明在初始形核阶段采用低温生长，能够有效抑制界面的起伏，获得光滑平整的界面，提高外延薄膜的结晶质量；能够抑制异质生长阶段的反相畴，减少孪晶、堆垛层错，降低位错密度。
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公开(公告)号：CN110120438B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810110131.3
申请日：2018-02-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于金属柔性基底的太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，并在所述第一衬底上制作形成阻挡层；在所述阻挡层上制作形成电池外延层；提供第二衬底，并将所述第二衬底固定在所述电池外延层上；依次去除所述第一衬底和所述阻挡层；采用正面电池工艺处理所述电池外延层；提供第三衬底，并将所述第三衬底固定在所述电池外延层上；去除所述第二衬底；在所述电池外延层上制作形成柔性导电衬底；去除所述第三衬底。本发明公开了一种基于金属柔性基底的太阳能电池的制备方法以生长柔性导电衬底取代了PI键合技术，工艺上不仅简化，同时也大大减少了电池损伤的可能；电池正负电极可以异侧，增大了电池的正面吸光面积。
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公开(公告)号：CN111668337A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010423477.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种探测器，其包括：探测芯片、温度传感器件、电绝缘层；所述电绝缘层设置于所述探测芯片的正表面上，所述温度传感器件设置于所述电绝缘层的背向所述正表面的表面上。本发明还提供了一种探测器的制作方法以及探测装置。本发明通过将温度传感器件通过片上集成的方式直接集成到探测芯片上，即集成到探测芯片的外表面，从而实现对探测芯片自身的工作温度进行直接和连续地实时监测，同时无需对探测芯片的结构进行改变，进而也就不需要重新设计探测器芯片的制作工艺。
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公开(公告)号：CN102738290B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210203828.8
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、第二薄膜分别与有源区相异质，有源区为渐变层结构。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质且同导电类型的接触层；2）在接触层裸露表面外延生长具有渐变结构的有源区；3）在有源区裸露表面生长与有源区相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
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公开(公告)号：CN102738267B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210203843.2
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。
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