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公开(公告)号：CN102738290B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210203828.8
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、第二薄膜分别与有源区相异质，有源区为渐变层结构。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质且同导电类型的接触层；2）在接触层裸露表面外延生长具有渐变结构的有源区；3）在有源区裸露表面生长与有源区相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
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公开(公告)号：CN102738267B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210203843.2
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。
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公开(公告)号：CN102738266A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210203837.7
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第一GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。本发明还提供一种上述掺杂超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上依次生长第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN102738266B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210203837.7
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第一GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。本发明还提供一种上述掺杂超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上依次生长第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN102254969B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110235828.1
申请日：2011-08-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层，该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区，该p型或n型区上覆设电流扩展层，该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极；该方法包括对纳米柱阵列模板进行填充、平面化，制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题，也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题，使器件不仅具有纳米结构特性，而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102723397A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210203861.0
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层，第二薄膜与有源区之间还包括一与第二薄膜相异质的第二渐变缓冲层。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层；2）在第一渐变缓冲层裸露表面外延生长有源区；3）在有源区裸露表面生长第二渐变缓冲层；4）在第二渐变缓冲层裸露表面生长与第二渐变缓冲层相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
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公开(公告)号：CN102738292B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210203859.3
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本发明还提供一种多结叠层电池的制备方法，包括步骤：1）提供一第一衬底、一第二衬底；2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层；3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层；4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。
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公开(公告)号：CN102723397B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210203861.0
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层，第二薄膜与有源区之间还包括一与第二薄膜相异质的第二渐变缓冲层。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层；2）在第一渐变缓冲层裸露表面外延生长有源区；3）在有源区裸露表面生长第二渐变缓冲层；4）在第二渐变缓冲层裸露表面生长与第二渐变缓冲层相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
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公开(公告)号：CN102738267A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210203843.2
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。
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公开(公告)号：CN102254969A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110235828.1
申请日：2011-08-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层，该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区，该p型或n型区上覆设电流扩展层，该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极；该方法包括对纳米柱阵列模板进行填充、平面化，制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题，也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题，使器件不仅具有纳米结构特性，而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性。
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