公开(公告)号：CN111816711A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010877959.9

申请日：2020-08-27

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 周祥鹏 ,  陆书龙 ,  邱海兵 ,  杨文献 ,  李雪飞 ,  边历峰

IPC: H01L29/96 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。

公开(公告)号：CN111785786B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202010878088.2

申请日：2020-08-27

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 邱海兵 ,  杨文献 ,  边历峰 ,  陆书龙 ,  周祥鹏

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，包括衬底以及在衬底上形成的外延部，外延部包括依序层叠在衬底上的第一势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层和第二势垒层均由AlN材料制成，势阱层由GaN材料制成。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有的共振隧穿二极管的功率较低的问题。

公开(公告)号：CN111816711B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202010877959.9

申请日：2020-08-27

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 周祥鹏 ,  陆书龙 ,  邱海兵 ,  杨文献 ,  李雪飞 ,  边历峰

IPC: H01L29/96 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。

公开(公告)号：CN111785786A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010878088.2

申请日：2020-08-27

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 邱海兵 ,  杨文献 ,  边历峰 ,  陆书龙 ,  周祥鹏

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，包括衬底以及在衬底上形成的外延部，外延部包括依序层叠在衬底上的第一势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层和第二势垒层均由AlN材料制成，势阱层由GaN材料制成。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有的共振隧穿二极管的功率较低的问题。