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公开(公告)号：CN107743592B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201680026067.X
申请日：2016-05-04
申请人： 通快光子学公司
CPC分类号： G02B3/0037 , G02B27/30 , H01S5/005 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/4012 , H01S5/4018 , H01S5/4025 , H01S5/4043
摘要： 一种激光二极管组件包含以一排紧密封装的多个激光二极管芯片(1402)。每一个激光二极管芯片在P侧和N侧结合到第一和第二子安装座(1409,1410)。然后将子安装座附接到冷却载体(1401)，两个结合表面垂直于载体的顶面。激光辐射的方向平行于载体顶面，并且激光二极管芯片的有源区(1403)的顶部(1404)与载体之间的距离优选地位于以一排封装的各个激光源的间距的一半(1413)的范围内，优选在0.2mm至1mm的范围内，以允许高功率运行的高效冷却。子安装座可以是导电的，或者它们可以是至少部分地被导电层覆盖的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN102804432B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180014026.6
申请日：2011-04-14
申请人： 哈利盛东芝照明株式会社
CPC分类号： H01S5/02264 , G02B6/0066 , G02B6/0091 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01S5/005 , H01S5/02208 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02276 , H01S5/0228 , H01S5/02296 , H01S5/4018 , H01S5/4043 , H01S5/4056 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种发光装置，其特征在于，具备：第1板极，具有第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；第2板极，具有第3主面和所述第3主面相反侧的第4主面；发光元件，配置在所述第1主面与所述第3主面之间，具有：半导体积层体，具有面对所述第1主面且比所述第1主面小的第5主面和面对所述第3主面且比所述第3主面小的第6主面，且含有发光层；第1电极，设置在所述第5主面上；及第2电极，设置在所述第6主面上，从所述发光层发射的光束的光轴与所述第5主面和所述第6主面之间的所述半导体积层体的侧面垂直；及绝缘体，被设置为与所述第1板极和所述第2板极接触，具有形成于所述光轴上的窗口部，所述光束可以通过所述窗口部向外部发射。
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公开(公告)号：CN101188346B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710306136.5
申请日：2007-11-12
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。
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公开(公告)号：CN101809834A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108507.1
申请日：2008-08-18
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： P·布里克
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/0035 , H01S5/1064 , H01S5/2004 , H01S5/22 , H01S5/3095 , H01S2301/18 , H01S2301/206
摘要： 说明了一种用于制造发射辐射的器件(1)的方法。预先规定远场中的辐射特性。在垂直于该器件(1)的主辐射方向的方向上，根据所述预先规定的辐射特性确定该发射辐射的器件(1)的折射率谱。为该器件(1)确定一种构造，使得该器件(1)具有之前确定的折射率谱。根据之前确定的构造来构造该发射辐射的器件。
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公开(公告)号：CN101305505A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680032380.0
申请日：2006-08-23
申请人： 朗迅科技公司
发明人： 陈亦凡
CPC分类号： H01S5/0421 , B82Y20/00 , H01L33/26 , H01L33/34 , H01S5/021 , H01S5/3216 , H01S5/3402 , H01S5/3407 , H01S5/3427 , H01S5/4043
摘要： 一种光源基于硅和氟化钙(CaF2)的结合。硅和氟化钙不需要是纯的，而是可以对其进行掺杂，或者甚至可使其形成合金，从而控制它们的电学和/或物理特性。优选地，该光源利用硅和氟化钙的例如被布置为多层结构的交织部分，并且该光源利用导带中的子带间跃迁来工作，从而发射近红外光谱范围内的光。该光源可被布置为形成量子级联激光器、环形谐振腔激光器和波导光放大器。
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公开(公告)号：CN100423262C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510113692.1
申请日：2001-02-14
申请人： 索尼株式会社
发明人： 池田昌夫
IPC分类号： H01L25/075 , H01S5/40
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H04N9/315 , H01L2924/00
摘要： 一种发光器件，容易制造且可以精确控制发光位置。第一和第二发光元件形成于支撑基底的一个面上。第一发光元件在GaN构成的第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有GaInN混晶构成的有源层。第二发光元件在GaAs构成的第二衬底的设置支撑基底的一侧上具有光激射部分。由于第一和第二发光元件不生长于同一衬底上，容易得到具有约400nm输出波长的多波长激光器。由于第一衬底在可见光区是透明的，所以可以通过光刻精确控制第一和第二发光元件的发光区位置。
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公开(公告)号：CN101188346A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710306136.5
申请日：2007-11-12
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。
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公开(公告)号：CN1871755A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031094.3
申请日：2004-09-27
申请人： 日本先锋公司
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0213 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4087
摘要： 提供一种激光光束的发光点间隔小的半导体激光装置及其制造方法。具有半导体基板(12a)和激光振荡部(10a)的第1发光元件(1a)和具有激光振荡部(4a)的第2发光元件(2a)使激光振荡部(10a)的脊形波导(8a)和激光振荡部(4a)的脊形波导(5a)相面对，并利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接。与脊形波导(8a)上的欧姆电极层(9a)电连接的导电性布线层(Qa1)和与脊形波导(5a)上的欧姆电极层(6a)电连接的导电性布线层(Qa2)分别延伸到半导体基板(12a)上的绝缘层(11a)，在半导体基板(12a)的底面和激光振荡部(4a)的表面分别形成欧姆电极(Pa1、Pa2)。在向欧姆电极(Pa1)和布线层(Qa1)之间提供驱动电流时，激光振荡部(10a)射出激光光束，在向欧姆电极(Pa2)和布线层(Qa2)之间提供驱动电流时，激光振荡部(4a)射出激光光束。由于利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接激光振荡部(4a、10a)，所以能够形成发光点间隔小的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1841869A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610058488.9
申请日：2006-03-28
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件上接合单片红色/红外半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点和红外半导体激光元件的红外发光点的间隔，与红色半导体激光元件的红色发光点和红外发光点的间隔相比非常小，从蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点射出的蓝紫色激光、红色激光和红外激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4板、物镜、圆柱透镜、光轴修正元件所构成的光学系统，入射到光盘上之后，都导向光检测器。
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公开(公告)号：CN107196186A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710459332.X
申请日：2017-06-16
申请人： 西安炬光科技股份有限公司
CPC分类号： H01S5/02423 , H01S5/02 , H01S5/4043
摘要： 本发明提供一种热沉绝缘型半导体激光器，包括：激光芯片、导电衬底、液体制冷器、绝缘间隔层、第一导电层；其中，所述激光芯片键合于所述导电衬底上，形成激光芯片模块；所述激光芯片模块经绝缘间隔层键合在所述液体制冷器的侧端面；所述第一导电层设置于所述液体制冷器的上表面，与所述液体制冷器彼此绝缘，并与所述激光芯片实现电连接。基于本发明提供的热沉绝缘型半导体激光器及其叠阵，在实现热沉绝缘的情况下，能够有效地提高半导体激光器的散热能力，并且模块化的设计，为进一步实现功率成倍扩展奠定了基础。
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