公开(公告)号：CN102396083B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080016546.6

申请日：2010-04-13

Applicant: 天空激光二极管有限公司

Inventor： 詹姆斯·W·拉林 ,  丹尼尔·F·费泽尔 ,  尼古拉斯·J·普菲斯特尔 ,  拉贾特·萨尔马

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/2201 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 光学装置包括具有m面非极性晶体状表面区域的氮化镓衬底构件，其特征在于，朝着(000-1)具有大约-2度至大约2度以及朝着(11-20)具有小于大约0.5度的取向。该装置还具有被形成为覆盖m面非极性晶体状取向表面区域的一部分的激光条纹区域。在激光条纹区域的一端上设置第一解理c面刻面，并在激光条纹区域的另一端上设置第二解理c面刻面。

公开(公告)号：CN101567417B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200910137372.8

申请日：2009-04-24

Applicant: 未来之光有限责任公司

Inventor： 三宅泰人 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  久纳康光

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L29/2003 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/812 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供氮化物类半导体元件和其制造方法。该氮化物类半导体元件包括：基板；在基板的第一侧端面的主表面侧形成的第一台阶部；在第一侧端面的相反侧、并且在与第一侧端面大致平行的第二侧端面的主表面侧形成的第二台阶部；和在主表面上，具有由将第一台阶部的第一侧壁作为起点的(000-1)面构成的第一侧面、和将第二台阶部的第二侧壁作为起点的第二侧面的氮化物类半导体层。

公开(公告)号：CN104081598A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007119.5

申请日：2013-01-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 清田和明

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

CPC classification number: H01S5/1014 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/4012

Abstract: 一种半导体光元件，其具备形成于半导体基板上的光波导路，其特征在于，所述光波导路具备：单一模式波导部，其以单一模式对输入的光进行波导；弯曲部，其相对于所述光的波导方向配置在所述单一模式波导部的后段侧；以及喇叭部，其相对于所述波导方向配置在所述弯曲部的后段侧，形成为波导宽度往所述波导方向扩大，且具有可在所述光的射入侧以单一模式对所述光进行波导、在所述光的射出侧以多模式对所述光进行波导的波导宽度。

公开(公告)号：CN102934301A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201080067313.9

申请日：2010-12-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。

公开(公告)号：CN102790357A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210022516.7

申请日：2012-01-30

Applicant: 天空公司

Inventor： 詹姆斯·W·拉林 ,  保罗·鲁迪 ,  白辰东

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件。提供了一种用于以高功率发射电磁辐射的方法和装置，使用非极性或半极性含镓基板如GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN。在各种实施方式中，该激光装置包括集成有基板的发射绿色或蓝色激光的多个激光发射器。本发明的激光装置包括：含有镓和氮材料的基板，基板具有特征在于半极性或非极性取向的表面区，基板具有前侧和背侧；位于基板内的至少一个有源区；覆盖有源区的N个发射器的阵列，N大于3，N个发射器的阵列彼此基本上平行并且位于前侧和背侧之间；电耦接于N个发射器的阵列的至少一个电极；以及位于基板的前侧处的至少一个光学构件。

公开(公告)号：CN102549860A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043448.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  住友隆道 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊 ,  片山浩二 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。

公开(公告)号：CN101540365B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200910126826.1

申请日：2009-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3形成p型Al0.07Ga0.93N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al0.07Ga0.93N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。

公开(公告)号：CN101355232B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200810134056.0

申请日：2008-07-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  野村康彦 ,  畑雅幸 ,  三宅泰人

IPC: H01S3/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。

公开(公告)号：CN101529674B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200780038887.1

申请日：2007-10-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松野裕司

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种能够抑制成品率的降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。该氮化物类半导体激光元件的制造方法包括：在n型GaN衬底(1)上形成多个氮化物类半导体各层(2～7)的工序；形成由p型包覆层(6)与接触层(7)构成并在[1-100]方向上延伸的脊部(8)的工序；通过照射YAG激光，在n型GaN衬底(1)的上表面上形成在与脊部(8)垂直相交的方向([11-20]方向)上延伸的槽部(30)的工序；通过以槽部(30)为起点分割n型GaN衬底(1)，形成谐振器端面(50)的工序，形成槽部(30)的工序包括：在从脊部(8)的侧面仅隔开规定距离W2(约50μm～200μm)的区域形成槽(30)的端部的工序。

公开(公告)号：CN101997268A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010261391.4

申请日：2010-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田征孝 ,  神川刚

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/16152 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3407 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。