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公开(公告)号:CN104025318A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201280053028.0
申请日:2012-08-13
申请人: 住友电气工业株式会社
CPC分类号: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3404 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要: 本发明提供一种设置于半极性面上并抑制了发光所需要的偏压电压的上升的氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制作方法。在具有半极性面的主面(13a)的由六方晶类氮化物半导体构成的支撑基体上设置的发光层(17)的多重量子阱构造由阱层(17a)和阱层(17c)、以及阻挡层(17b)构成,阻挡层(17b)设置于阱层(17a)和阱层(17c)之间,阱层(17a)和阱层(17c)由InGaN构成,阱层(17a)和阱层(17c)具有处于0.15以上0.50以下的范围的铟组成,主面(13a)相对于六方晶类氮化物半导体的c面的倾斜角α处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围,阻挡层(17b)的膜厚的值L处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。
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公开(公告)号:CN103999305A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201280062606.7
申请日:2012-09-19
申请人: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号: H01S5/30 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要: 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中,发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成,第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。
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公开(公告)号:CN102549859B
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201080043433.5
申请日:2010-09-29
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01S5/343
CPC分类号: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
摘要: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端,设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
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公开(公告)号:CN103959580A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201280051908.4
申请日:2012-06-22
申请人: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
摘要: 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件,具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在{20-21}面上的半导体激光器中,在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时,该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面,在c面上的半导体激光器中,在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时,在从半导体隆脊流出的载流子,不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号:CN103797665A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201280041775.2
申请日:2012-04-13
申请人: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333
摘要: 本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1~第3区域19b~19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中,焊垫电极18的第1~第3电极部18b~18d分别设置于半导体区域19的第1~第3区域19b~19d上。第1电极部18b具有到达割断面27边缘的臂部18b_ARM1。
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公开(公告)号:CN101789474B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201010108912.2
申请日:2010-01-22
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01L33/06
CPC分类号: H01L21/0262 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/0075
摘要: 一种制作氮化物类半导体发光元件的方法,能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀,并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第1期间(P1),向生长炉(10)中供给作为III族原料的镓原料和铟原料,生长InGaN薄层。在第2期间(P2),在不供给镓原料的情况下,向生长炉(10)中供给铟原料。第2期间(P2)与第1期间(P1)连续。第1期间(P1)为时刻t3~t4、时刻t5~t6。在时刻t3~t4,生长InGaN薄层(24a),在时刻t5~t6,生长InGaN薄层(26a)。第2期间(P2)为时刻t4~t5。活性层(21)的阱层(25)由多个InGaN薄层(24a、26a)构成。
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公开(公告)号:CN101984774B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN200980104006.0
申请日:2009-07-16
申请人: 住友电气工业株式会社
CPC分类号: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
摘要: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件,其中,具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此,可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中,第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成,与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号:CN102549781A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201080043799.2
申请日:2010-09-22
申请人: 住友电气工业株式会社
CPC分类号: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/0014 , H01S5/34333
摘要: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中,一面对基板产物施加偏压,一面进行基板产物的光致发光的测定,而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性,该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中,根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中,基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个,从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。
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公开(公告)号:CN101990698A
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN200980112445.6
申请日:2009-04-03
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/343
CPC分类号: H01L21/0242 , B82Y20/00 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333
摘要: 发光二极管(21a)的支撑基体(23)的主面(23a)相对于c面以大于10度且小于80度的倾斜角倾斜。半导体积层(25a)包含具有400nm以上且550nm以下的波长范围内的发光峰值的有源层(27)。GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR3))与缓冲层(33a)的(0001)面的倾斜角A为0.05度以上且2度以下。另外,GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR4))与阱层(37a)的(0001)面的倾斜角B为0.05度以上且2度以下。倾斜角A及倾斜角B相对于GaN支撑基体的c面彼此朝相反方向倾斜。
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公开(公告)号:CN101958509A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN201010231379.9
申请日:2010-07-15
申请人: 住友电气工业株式会社
CPC分类号: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S2302/00
摘要: 一种氮化镓类半导体激光二极管,能够使用半极性面形成500nm以上的光的激光振荡。活性层(29)设置成产生波长500nm以上的光,因此应限制在中心半导体区域(29)的光的波长为长波长,使用双层结构的第一导光层(27)和双层结构的第二导光层(31)。由AlGaN及InAlGaN的至少任意一种构成的包层(21)的材料不同于III族氮化物半导体,并且第一外延半导体区域(15)的厚度(D15)比中心半导体区域(19)的厚度(D19)厚,但第一~第三界面J1、J2、J3上的失配位错密度为1×106cm-1以下。III族氮化物半导体激光二极管中,能够避免c面作为滑移面作用时的晶格驰豫在界面J1、J2、J3的该半导体层中产生。
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