制作半导体发光元件的方法

    公开(公告)号:CN102549781A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201080043799.2

    申请日:2010-09-22

    IPC分类号: H01L33/32 H01S5/343

    摘要: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中,一面对基板产物施加偏压,一面进行基板产物的光致发光的测定,而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性,该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中,根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中,基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个,从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。