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公开(公告)号：CN102804416B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080065555.4
申请日：2010-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
CPC classification number: H01L33/0045 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。
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公开(公告)号：CN102177593B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980139859.8
申请日：2009-10-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管(11a)包括半导体区域(13)、InGaN层(15)及活性层(17)。半导体区域(13)具有表现出半极性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半导体区域(13)的主面(13a)相对于与该主面(13a)的[0001]轴方向的基准轴Cx正交的平面Sc以角度α倾斜。半导体区域(13)的厚度D13大于InGaN层(15)的厚度DInGaN，且InGaN层(15)的厚度DInGaN为150nm以上。InGaN层(15)设置于半导体区域(13)的主面13a的正上方，且与主面(13a)相接。活性层(17)设置于InGaN层(15)的主面15a上，且与该主面(15a)接触。活性层(17)包含InGaN阱层(21)。
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公开(公告)号：CN103493316A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019471.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/3201 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种缩小光封闭性的降低且可实现驱动电压的下降的氮化物半导体激光器。在半导体区域（19）中，发光层（13）的活性层（25）、第一包覆区域（21）及第二包覆区域（23）设置在主面（17a）上。第二包覆区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）及第二p型III族氮化物半导体层（29）。第一p型III族氮化物半导体层（27）由InAlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层（29）由与该InAlGaN层不同的半导体构成。该InAlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在第二p型III族氮化物半导体层（29）与活性层（25）之间。第二p型III族氮化物半导体层（29）的比电阻（ρ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的比电阻（ρ27）。
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公开(公告)号：CN102957091A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210285225.7
申请日：2012-08-10
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/1808 , H01L33/34 , H01S5/125 , H01S5/2203 , H01S5/227 , H01S5/3201 , H01S5/3223 , H01S5/3224 , H01S5/3427 , Y02E10/547
Abstract: 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。
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公开(公告)号：CN102422496A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020499.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102130425A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110020200.X
申请日：2011-01-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01S5/22 , H01S5/3086 , H01S5/3201 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置的制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层（12）以及n型GaN光引导层（14）。在n型GaN光引导层（14）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层（16）。在活性层（16）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层（18）、p型GaN光引导层（20）、p型Al0.03Ga0.97N覆盖层（22）、p型GaN接触层（24）。
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公开(公告)号：CN100563069C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200610106015.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层(101)、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层(102)、和第二导电型的第1覆层(103)在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层(104)、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层(105)、和第二导电型的第2覆层(106)在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层(103)的晶格常数及第二导电型的第2覆层(106)的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层(102)的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层(105)的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
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公开(公告)号：CN100523796C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN02126906.8
申请日：2002-07-25
Applicant: 皇家菲利浦电子有限公司
CPC classification number: G21K1/025 , A61B6/037 , A61B6/4258 , H01S5/3201
Abstract: 本发明涉及一种用于X射线装置的抗散射格栅以降低待检测物体内产生的散射辐射，该格栅包括多个吸收散射辐射的吸收叠层和对于X射线透明的通道介质，该通道介质布置于吸收叠层之间。特别地，为了简单和精密制造这种抗散射格栅该通道介质，并且使初级辐射尽可能少地衰减而散射辐射尽可能度多地被吸收，按照本发明，采用非弹性高电阻泡沫材料，特别是聚甲基丙烯酰二酰亚胺作为通道介质。本发明还涉及一种例如，用于单光子发射极或正电子发射极的准直器，其中非弹性高电阻泡沫材料还被用作层叠之间的通道介质。
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公开(公告)号：CN101467314A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021136.9
申请日：2007-06-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18355 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18372 , H01S5/3201 , H01S5/423
Abstract: 提供一种面发光型半导体激光管，其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20)，所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30)，该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。
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公开(公告)号：CN100350641C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410003720.X
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/343 , H01L31/0264
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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