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公开(公告)号：CN107578994B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710569473.7
申请日：2012-10-18
Applicant: 阿科恩科技公司
Inventor： 沃尔特·A·哈里森 , 保罗·A·克利夫顿 , 安德烈亚斯·戈贝尔 , R·斯托克顿·盖恩斯
IPC: H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L29/04 , H01L29/161 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层，或插入各自由单层形成的双层，或插入多个所述双层，减少金属‑半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属‑IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极，所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等)，及/或应用为场效应晶体管(FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层，所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。
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公开(公告)号：CN107578994A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710569473.7
申请日：2012-10-18
Applicant: 阿科恩科技公司
Inventor： 沃尔特·A·哈里森 , 保罗·A·克利夫顿 , 安德烈亚斯·戈贝尔 , R·斯托克顿·盖恩斯
IPC: H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L29/04 , H01L29/161 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层，或插入各自由单层形成的双层，或插入多个所述双层，减少金属-半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属-IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极，所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等)，及/或应用为场效应晶体管(FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层，所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。
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公开(公告)号：CN102957091B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210285225.7
申请日：2012-08-10
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/1808 , H01L33/34 , H01S5/125 , H01S5/2203 , H01S5/227 , H01S5/3201 , H01S5/3223 , H01S5/3224 , H01S5/3427 , Y02E10/547
Abstract: 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。
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公开(公告)号：CN110088911B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201780078888.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/775 , H01L29/06 , H01L29/08 , B82Y10/00 , H01L29/417
Abstract: 一种纳米线晶体管包括与非掺杂沟道区电耦合的非掺杂源极和漏极区。与栅极导体电隔离的源极堆叠包括界面层(I层)和源极导体(源极接触)，且同轴地完全包绕所述源极区，沿着所述源极区的至少一部分延伸。所述源极导体与所述源极区之间的所述肖特基势垒为负，从而引起在所述非掺杂半导体源极区中感生一浓度的自由电荷载流子。所述非掺杂源极区与所述源极导体之间的所述界面层确保所述负肖特基势垒且所述晶体管可包括类似于所述源极堆叠的漏极堆叠。
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公开(公告)号：CN105075206B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201480014866.6
申请日：2014-03-07
Applicant: 阿科恩科技公司
Inventor： S·C·汤普森 , R·卡林克西 , F·洛佩兹德维多利亚
CPC classification number: H04L25/0204 , H04L25/0212 , H04L25/0216 , H04L25/022 , H04L25/0224 , H04L25/03159 , H04L27/2647
Abstract: OFDM接收机对所接收到的OFDM信号进行响应以生成一个初始信道脉冲响应。该接收机确定初始信道脉冲响应中的时间跨度，在该时间跨度中存在多条重要路径。中间信道脉冲响应估计器对初始信道脉冲响应内的多条路径进行标识，并且生成一个改善的中间信道脉冲响应。信道脉冲响应估计器进行第二非线性过程以生成信道脉冲响应。均衡器对信道脉冲响应和OFDM符号进行响应以对OFDM符号进行均衡。生成可以用于有效地停止第一迭代非线性过程的多个度量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103931150A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280056074.6
申请日：2012-10-26
Applicant: 阿科恩科技公司
Inventor： S·C·汤普森 , F·洛佩兹德维多利亚
CPC classification number: H04L25/0204 , H04L25/0212 , H04L25/03057 , H04L25/03159 , H04L27/2647
Abstract: OFDM通信系统在通过快速傅里叶变换处理接收的符号之前响应于这些符号来执行时域信道估计。通信系统根据实际导频生成虚拟导频，以改善信道估计的稳定性和质量。系统根据实际导频和虚拟导频生成参考信号，以及将得到的参考信号与响应于接收的符号的信号进行相关，以生成初始信道冲激响应(CIR)以及确定关于信道的统计。在一些情况下，将所得到的参考信号与经修改的符号进行相关，在经修改的符号中，强调了实际导频和虚拟导频位置，以及降低了数据位置的重要性。时域信道估计迭代地对初始CIR进行改善。系统通过诸如内插的平均来确定针对仅有数据的符号的信道估计。
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公开(公告)号：CN102204196A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142282.6
申请日：2009-06-09
Applicant: 阿科恩科技公司
CPC classification number: H04L25/022 , H04L25/0228 , H04L25/0232 , H04L25/03159 , H04L27/2647 , H04L2025/03414
Abstract: 一种OFDM接收机包括：快速傅里叶变换处理器，其接收信号采样并输出对应于接收符号的频域采样。延迟元件接收频域采样集合并在预定的延迟时间间隔之后输出每个频域采样集合。频域信道估计器接收频域采样并从每个频域采样集合获得信道估计。信道估计队列存储由信道估计器提供的信道估计的序列并将该序列提供给输出经平均的信道估计的加权平均元件。频率均衡器响应于经延迟的频域采样集合和经平均的信道估计而输出经均衡的频域采样集合。
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公开(公告)号：CN116895686A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310709636.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种纳米线晶体管包括与非掺杂沟道区电耦合的非掺杂源极和漏极区。与栅极导体电隔离的源极堆叠包括界面层(I层)和源极导体(源极接触)，且同轴地完全包绕所述源极区，沿着所述源极区的至少一部分延伸。所述源极导体与所述源极区之间的所述肖特基势垒为负，从而引起在所述非掺杂半导体源极区中感生一浓度的自由电荷载流子。所述非掺杂源极区与所述源极导体之间的所述界面层确保所述负肖特基势垒且所述晶体管可包括类似于所述源极堆叠的漏极堆叠。
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公开(公告)号：CN103931150B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280056074.6
申请日：2012-10-26
Applicant: 阿科恩科技公司
Inventor： S·C·汤普森 , F·洛佩兹德维多利亚
CPC classification number: H04L25/0204 , H04L25/0212 , H04L25/03057 , H04L25/03159 , H04L27/2647
Abstract: OFDM通信系统在通过快速傅里叶变换处理接收的符号之前响应于这些符号来执行时域信道估计。通信系统根据实际导频生成虚拟导频，以改善信道估计的稳定性和质量。系统根据实际导频和虚拟导频生成参考信号，以及将得到的参考信号与响应于接收的符号的信号进行相关，以生成初始信道冲激响应(CIR)以及确定关于信道的统计。在一些情况下，将所得到的参考信号与经修改的符号进行相关，在经修改的符号中，强调了实际导频和虚拟导频位置，以及降低了数据位置的重要性。时域信道估计迭代地对初始CIR进行改善。系统通过诸如内插的平均来确定针对仅有数据的符号的信道估计。
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公开(公告)号：CN105047735B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510242310.9
申请日：2012-08-10
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/34 , H01S5/32 , B82Y20/00
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/1808 , H01L33/34 , H01S5/125 , H01S5/2203 , H01S5/227 , H01S5/3201 , H01S5/3223 , H01S5/3224 , H01S5/3427 , Y02E10/547
Abstract: 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。
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