表面发射激光器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101359807B

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200810129459.6

    申请日:2008-07-31

    发明人: 井久田光弘

    摘要: 本发明提供了一种能够在单横模下减小对上部反射镜的反射率的影响的高输出的表面发射激光器。该表面发射激光器包括在衬底上层叠的多个半导体层,包括下部半导体多层反射镜、活性层,以及上部半导体多层反射镜,其中,下或上部半导体多层反射镜包括具有二维光子晶体结构的第一半导体层,该二维光子晶体结构由高折射率部分和低折射率部分构成,高折射率部分和低折射率部分被布置在平行于衬底的方向,以及其中,层叠在所述第一半导体层上的第二半导体层包括到达所述低折射率部分的微孔,所述微孔在平行于所述衬底的所述方向的截面小于在所述第一半导体层中形成的所述低折射率部分的截面。

    面发光型半导体激光管及其制造方法

    公开(公告)号:CN101467314A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200780021136.9

    申请日:2007-06-04

    IPC分类号: H01S5/183

    摘要: 提供一种面发光型半导体激光管,其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20),所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30),该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。

    面发光型半导体激光管及其制造方法

    公开(公告)号:CN101467314B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200780021136.9

    申请日:2007-06-04

    IPC分类号: H01S5/183

    摘要: 本发明提供一种面发光型半导体激光管,其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20),所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30),该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。