公开(公告)号：CN1816995A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019278.8

申请日：2004-06-01

Applicant: 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫

Inventor： 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 ,  维塔里·A·舒金

IPC: H04J14/02 ,  H04B10/155 ,  H04B10/158 ,  H01S5/40 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01S5/18302 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0607 ,  H01S5/06206 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3211 ,  H01S2301/173 ,  H04J14/02

Abstract: 公开了一种基于波长可调的激光器和波长可调的共振光电探测器的阵列的波分多路复用系统。该系统能够将波长可调的光电探测器的共振波长自调整到激光器所发射的激光的波长。因此不需要激光器的精确的波长稳定性。

公开(公告)号：CN1531769A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN02810876.0

申请日：2002-05-28

Applicant: 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫

Inventor： 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 ,  维塔利·亚利山德罗维奇·舒金

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01S5/18302 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/06206 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18341

Abstract: 一种波长可调半导体垂直腔体面发射激光器，其包括至少一个有源元件，该元件包含通过电流的注入产生光增益的激活层，以及至少一个相位控制元件及反射镜。相位控制元件包含一个调节器，对来自激光产生的的波长的短波长侧呈现强的狭窄光吸收峰。波长控制通过使用位置相关电光效应实现。如果施加反向偏压，则由于斯塔克效应吸收最大值向较长波长移动。如果施加正向偏压，则电流被注入，结果是峰值吸收的增白和减少。在两种情形下都出现相位控制元件中折射率强烈的调节。该效应调节腔体模式的波长，且波长位移的符号和值由调节器的位置定义。两个相位控制的级联能够对激光执行，其一个移动发射的光的波长到较大值，另一个移动发射的光的波长到较小值。在这种激光器中可使用功率平衡元件，允许或者在不同发射波长保持固定的输出功率，或者实现独立的频率和振幅调节。可在激光器中实现光检测元件，允许对所有操作激光器的定标。

公开(公告)号：CN1529902A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN02809544.8

申请日：2002-05-07

Applicant: 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫

Inventor： 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/308

CPC classification number: C30B25/18 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/3245 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/962

Abstract: 本发明的方法从生长在有不同晶格常数的衬底顶部的，原来位错和/或富于缺陷的晶格失配层，产生相干无位错区域，而不包含在晶格失配层生长之前或以后的任何处理步骤。该过程优选地在位错层的顶部原地形成一层帽层。该帽层最好有和下面衬底接近的晶格参数，而与在无应变状态下的晶格失配层的晶格参数不同。在这些条件下，该帽层在位错附近的区域受到弹性排斥，因为在该处晶格参数和衬底的晶格参数差别最大。在这些区域帽层不复存在。当帽层比起下面的晶格失配层有一个较低的热蒸发率时，晶格失配层包含位错的那些区域就在足够高的温度下被选择性地蒸发，而在衬底上只留下原先富于位错的晶格失配层的相干、无缺陷区。在本发明的一个实施方案中，在无衬底上形成的无缺陷区的尺寸被优选地调到30－1000nm范围，这依赖于退火条件，帽层的厚度和晶格失配。也同时公开了用本方法制作的器件。